Авторазбор

Разборка грузовиков Мерседес–Бенц (Mercedes-Benz)

Содержание

Моторная лодка Обь, характеристики и особенности

В СССР производилось немало моторных лодок, но туристам и рыбакам больше всего полюбилась «Обь». Ее начали производить в 60-х годах, прототипом послужила пластиковая лодка ПК-5. Но «Обь» производилась из дюралюминия.

Выпускам модели занимался новосибирский завод ЗиЧ и предприятие ГАЗИСО в г. Горький. Модели двух заводов отличались – «Обь» производства ЗиЧ выпускалась с более плавным и пологим форштевнем и с более удачными обводами, по мнению многих покупателей.

Эти лодки были популярны, пользуются они популярностью и сегодня. Более того, несколько модернизированные Обь-1 и Обь-4 производятся в наше время частными предприятиями.

Всего за историю лодки было разработано ее несколько модификаций – Обь-1, 2, 3, 4, 5 и Обь-М. В зависимости от типа, технические характеристики лодок менялись, но были и схожие черты – глиссирующий корпус, остроскулая форма, закрученное днище (сужающееся возле кормы и высоко поднятое возле транца). К общим чертам относится лобовое стекло особой формы, герметичный отсек для вещей в носовой части, пассажирские сидения в кокпите. Все моторки производились по клепаной технологии, из листов дюралюминия толщиной от 1,5 до 2 мм, с тиоколовыми лентами для герметизации швов.

Обь-1 и Обь-2

Первая модель, завоевавшая большую популярность, благодаря своим техническим и ходовым характеристикам. На нее можно установить мотор мощностью до 30 л.с., вместительность модели – до 4 человек (есть два двухместных сидения). Лодка развивает скорость до 40 км/ч (при мощности двигателя 20 л.с.). Для большей устойчивости предусмотрены бортовые були, длина которых составляет 2,5 м.

Особенности модели Обь-1 и Обь-2:

длина – 4,2 м;

максимальная ширина – 1,45 м;

высота борта в миделе – 0,55 м;

полный вес – 140 кг;

грузоподъемность – до 400 кг.

Что касается второй модели лодки, то ее технические характеристики практически не изменились, и она выпускалась в ограниченном количестве, недолгое время. Изменениям подверглась внутренняя отделка лодки, в сторону большего комфорта. Так, в лодке установлены мягкие сидения, есть тахометр и встроенная помпа, рулевая колонка редукторного типа. Для безопасного хождения в темное время суток встроены габаритные фары. В комплектации шел тент, который можно использовать и в движении. Производитель усилил транец, за счет чего на Обь-2 можно установить мотор мощностью до 40 л.с. Есть АКБ.

Обь-3

Эта модель существенно отличается от первых двух. Ее модифицировали, ориентируясь на отзывы рыбаков и туристов. В результате модификации лодка получила следующие характеристики:

длина увеличилась до 4,3 м;

максимальная ширина – до 1,56 м;

высота борта осталась прежней, 0,55 м;

увеличился вес до 185 кг.

Максимальная грузоподъемность, вместительность и мощность мотора не изменились. Но вместо дюралюминия Д1 стал использоваться сплав Д16, который обеспечивал большую прочность бортам.

Обь-4

Если предыдущие три модели разрабатывались заводом ЗиЧ, то Обь-4 создали на заводе «Алмаз», тоже в Новосибирске. От предыдущих модификаций лодку отличает высокая грузоподъемность и максимальная скорость, габариты. В народе модель прозвали «Сибирский богатырь», и она полностью оправдывает такое название.

Технические характеристики Обь-4:

длина – 7,2 м;

максимальная ширина – 2 м;

максимальная высота борта – 0,82 м;

вес при полной комплектации – 600 кг;

максимальная грузоподъемность – до 1500 кг;

пассажирская вместимость – до 6 человек;

скорость – до 50 км/ч;

мощность мотора – до 130 л.с.

Благодаря таким характеристикам Обь-4 может использоваться не только на реках, озерах, но и в море. Лодка показывает хорошие ходовые качества даже при волне высотой 1,2 м.

Обь-5

Довольно «молодая» модель, ее выпуск начался в 2000 году. Разработчик и производитель – все тот же новосибирский «Алмаз». Лодка имеет меньше габариты, чем у четвертой модификации, во многом она напоминает Обь-3. Но есть и особенности – передние тримаранные обводы, которые ближе к корме принимают форму «крыло чайки», минимальная килеватость, носовые спонсоны, за счет которых хорошо глушится удары волн. Также, в отличие от третьей модели, лодка вмещает большее количество пассажиров, за счет увеличения габаритов. Таким образом, Обь-5 можно считать гибридом третьей и четвертой модели.

Характеристики лодки следующие Обь-5:

длина – 5,6 м;

максимальная ширина – 1,56 м;

максимальная высота борта – 0,78 м;

вес при полной комплектации – 500 кг;

пассажирская вместимость – до 6 человек;

максимальная скорость – 60 км/ч;

мощность двигателя – до 55 л.с.

За счет характеристик модель Обь-5 может использоваться не только на реках или озерах, но и в море, при соблюдении дистанции в 550 км.

Обь-М

Данную модель стали выпускать взамен Обь-1. Производитель изменил корпус лодки, убрав були, но добавив вторую скулу, увеличив килеватость носовой части. Эти изменения позволили снизить силу ударов волн, но вместе с этим снизились и мореходные качества модели, поэтому Обь-М выпускалась недолго – производитель перешел на выпуск лодки Обь-3.

Технические характеристики Обь-М:

длина – 4,24 м;

максимальная ширина – 1,52 м;

максимальная высота борта – 0,61 м;

вес при полной комплектации – 170 кг;

пассажирская вместимость – до 4 человек;

грузоподъемность – до 400 кг;

мощность мотора – до 30 л.с.;

максимальная скорость – до 36 км/ч.

​​​​​​​

На лодке Обь-М разрешено ходить в максимальном удалении от берега до 3 км, при волнении до 3 баллов.

Обь сегодня

Несмотря на то, что массовое производство лодок уже давно прекращено, они активно эксплуатируются рыбаками и охотниками. Современные технологии позволяют сделать каждую модель более комфортной – за счет установки новых лобовых стекол, более современных моторов, дополнения комплектации тентами или мягкими сидениями. При хорошем тюнинге Обь не уступает современным моделям – это уже не раз доказано на практике. При этом стоимость самой лодки не такая и высокая, как и цена ее ремонта или усовершенствования.

технические характеристики и фото катера

Производство моторной лодки «Обь» было начато во времена Советского Союза. Хорошо сбалансированные технические характеристики, неприхотливость в эксплуатации, облегченный корпус и отличные мореходные свойства сделали ее весьма популярной среди почитателей водно-моторного спорта. Продуманная конструкция кокпита позволяет  располагаться на борту судна 4-м человекам, возможность установки тента сделает комфортным использование лодки «Обь» при любых погодных условиях.

Мотолодка “Обь”

Прототипом для создания лодки «Обь» послужила пластмассовая мотолодка «ПК-5», проект которой был опубликован в сборнике «Катера и яхты», № 2, 1964 г

Прототипом для создания лодки «Обь» послужила пластмассовая мотолодка «ПК-5», проект которой был опубликован в сборнике «Катера и яхты», № 2, 1964 г. Благодаря отличным ходовым качествам и мореходности «Обь» быстро завоевала популярность среди любителей водно-моторного спорта и туризма в нашей стране. Она широко используется для дальних спортивных плаваний, соревнований, в качестве прогулочной и рыболовной лодки. Она отличается неприхотливостью в эксплуатации и сравнительно небольшой массой, облегчающей ее хранение на берегу.

«Обь» имеет остроскулыи плиссирующий корпус с днищем «закрученного» типа с сужением кормы у транца и высоко поднятой скулой в носу. Важными элементами, повышающими остойчивость и мореходность лодки, являются бортовые наделки-були длиной по 2,5 м. Вместе с носовым герметичным отсеком они обеспечивают непотопляемость лодки. Общий объем булей — 65 л, носового отсека — 200 л.

Корпус мотолодки “Обь”

В кокпите размером 2,1х1,15 м расположены два двухместных мягких сиденья. В носовом отсеке имеется небольшой багажник. Для осмотра герметичного форпика в палубе предусмотрен лючок с герметичной крышкой, закрепляемой на винтах. Кокпит спереди защищен гнутым ветровым стеклом. У транца оборудована подмоторная ниша.

Корпус лодки клепаной конструкции изготовлен из листов дюралюминия Д16 толщиной 1,5~2 мм, герметичность швов обеспечивается прокладкой тиоколовой ленты.

Лодка поставлялась в торговую сеть без тента и с минимальным снабжением. В производство этой модели было прекращено в связи с переходом на выпуск мотолодки «Обь-М».

Мотолодки “Обь”, “Обь-М”, “Обь-3”: сравнение

Основные данные:“Обь”“Обь-М”“Обь-3”
Длина наибольшая, м4.204.244.30
Ширина наибольшая, м1.451.521.56
Высота борта на миделе, м0.550.610.67
Угол килеватости днища на транце
Масса с оборудованием и снабжением, кг140170185
Грузоподъемность, кг400400400
Пассажировместимость, чел.444
Допустимая мощность ПМ, л.с.253030
Скорость под мотором:“Вихрь” (20 л.с.)“Вихрь-М” (25 л.с.)“Вихрь-30”
с полной нагрузкой, км/ч3431~3240
максимальная, км/ч4034~36

Опыт эксплуатации лодки “Обь” в морских условиях

Двое моих соседей по стоянке одновременно эксплуатировали лодки “Обь” и “Обь-М” в заливе Петра Великого. Будучи друзьями, они совершали совместные плавания, что позволяло непосредственно сравнивать эксплуатационные качества судов. Сначала одним из них была приобретена подержанная “Обь”. Требования, которые он предъявлял к судну, были таковы: лёгкое, экономичное, безопасное. Перед покупкой он испытал лодку на метровой волне под “Вихрем-М”.

Несмотря на все усилия, ему не удалось опрокинуть лодку или зарыться в волну. Конечно, из-за отсутствия брызгоотбойников и плоского в корме днища, “Обь” забрызгивалась и испытывала сильные удары, но он счёл это неизбежным злом и приобрёл лодку. В дальнейшем, эксплуатируя “Обь”, он не раз убеждался в её прекрасной всхожести на волну и динамической остойчивости.

Лодка уверенно преодолевала попутную и косую волну, испытывая сильные удары лишь при ходе прямо против ветра и волны. Однако всегда оставалась возможность несколько изменить неблагоприятный курс и снизить скорость, чтобы избежать сильных ударов. Для борьбы с забрызгиванием он несколько увеличил размеры ветрового стекла и сделал съёмные боковины из прорезиненной ткани для защиты от брызг.
Его товарищ захотел приобрести такую же лодку, однако “Обь” уже была снята с производства, подержанную лодку найти не удалось, и ему пришлось покупать

“Обь-М” получилась гораздо менее мореходной, чем старая “Обь”

“Обь-М”. По сравнению со старой “Обью”, в новой лодке было удобнее размещать туристское снаряжение, однако при первых же выходах в море выяснилось, что “Обь-М” зарывается в попутную волну. Рассматривая теоретические чертежи обеих лодок, трудно понять, чем же вызваны такие изменения в мореходности. Однако факт остаётся фактом: “Обь-М” получилась гораздо менее мореходной, чем старая “Обь”.

Неоднократно, совершая совместные путешествия, друзья убеждались, что старая “Обь” легко всходит на волну, в то время как “Обь-М” уже принимает воду на палубу. На тихой воде ходовые качества “Оби-М” под “Вихрём-30” соответствовали ходовым качествам “Оби” под 25-сильным “Вихрем-М”, на волнении же водитель “Оби-М” отставал, так как не мог выдерживать курс и был вынужден постоянно работать “баранкой”, чтобы не зарыться в волну.

Хозяин “Оби-М” даже был вынужден крепить к носу лодки специально сделанный лопатообразный фальшборт, но и он помогал слабо.

Хозяин старой “Оби” жалел, что на момент покупки лодки в ещё не было возможности купить “Привет-22”, с которым “Обь” показала бы ещё лучшие экономические характеристики.

Опыт других водномоторников также показал, что “Обь-М” – неудачная лодка. К тому же при длительной эксплуатации выяснилось, что планширь и продольный набор “Оби-М” из дюралевого уголка оказались подверженными сильной коррозии (старая “Обь” практически не корродировала). Заводу следовало бы оставить неизменными обводы старой “Оби” и обновить внутреннюю планировку, сделать более удобными сиденья и рундуки, заменить воздушные отсеки плавучести пенопластом, и т.д. Неудача заставила проектировать новую лодку. Так родилась “Обь-3”.

Тюнинг моторной лодки «Обь-1»: советы владельца

Создать универсальную лодку, одинаково приспособленную и для прогулок и для дальних туристских путешествий, практически невозможно, тем не менее, каждый владелец любой лодки стремится к этому. Я также попытался повысить комфортабельность своей моторной лодки «Обь» (описание мотолодки «Обь» можно посмотреть на этой странице), проведя небольшую модернизацию (или, как принято говорить сегодня, — тюнинг), но при этом поставил перед собой задачу — обойтись без каких-либо, хотя бы незначительных изменений ее конструкции.

Прежде всего, я задумался над проблемой использования носового герметичного отсека в качестве грузового, разумеется, при сохранении его прямого предназначения — обеспечения непотопляемости лодки.

После долгих поисков был найден довольно простой вариант, отвечающий этому требованию и не требующий каких-либо дополнительных работ на корпусе лодки.

Для горловины отсека я изготовил крышку на резьбе, она устанавливается на ту же самую прокладку и крепится при помощи тех же винтов, что и заводская. Снабдил ее внутренним замком, для защиты отсека от проникновения воды через замочную скважину поставил на нее резьбовую пробку. Замок подойдет любой. Принцип запирания заключается в том, что закрепленный на горловине упор любой конструкции, при закрытом замке не позволит отвернуть крышку.

Подобная конструкция может быть использована и на других дюралевых лодках. Детали горловины можно выточить из листа стали толщиной 14 мм.

Конструкция горловины:
1 — горловина; 2 — крышка; 3 — прокладка резиновая Ø272х4;
4 — винт М4х15, 16 шт.; 5 — упор; 6 — наварыш; 7 — пробка;
8 — прокладка; 9 — замок.

 

Два 50-миллиметровых штыря в нижней части крышки при закрывании заходят за днищевой шпангоут и тем самым не позволяют ей смещаться внутрь кокпита; в вертикальной плоскости перемещение крышки ограничено замками. Запирание крышки осуществляется при помощи эксцентриковых замков (таких же, как у носового багажника), а на стоянке дополнительно еще и внутренними замками.

Чтобы можно было хранить топливные баки (а в некоторых случаях и мотор) постоянно в лодке, я изолировал отсек под кормовым рецессом от кокпита при помощи быстросъемной крышки. Все детали изготовлены из дюралевого листа толщиной 1,5 миллиметра. Вся работа сводится к тому, что нужно в комингсе кокпита и в рамном шпангоуте проделать дрелью отверстия под винты и удалить угольники, на которых крепится кормовое сиденье.

 

Крышку этого отсека можно использовать и в качестве стола, для этого сделаны специальные крючки. На выгородке моторного отсека можно сидеть, если появится необходимость управлять мотором при помощи румпеля.Переоборудованный таким образом закрытый отсек вмещает в себя два стандартных топливных бачка, 20-литровую канистру, бачок, объемом 5 литров для масла и другие вещи. Также можно в нем разместить и мотор «Вихрь».

Сделано новое сиденье из сосновой доски толщиной 35 мм; оно короче заводского на 60 мм, теперь при ночевке его можно размещать в изголовье в носовой части кокпита. Спинку я взял от кормового сиденья, которым не пользуюсь.

Дело в том, что четверым выходить на мотолодке «Обь» в походы с ночевкой нецелесообразно: расположиться в кокпите на ночь можно только втроем. А на ходу на носовом сиденье свободно размещаются три человека; сплошная спинка в данном случае как раз к месту.

В передней части сиденья с обоих концов сделаны две выемки, которые предотвращают боковое смещение и позволяют устанавливать его на старое место без переделки угольников.

Для хранения мелких предметов по бортам лодки сделаны полочки и закрытые ящики.

Источники:

  • http://www.motolodka.ru/ob.htm
  • http://www.vodnyimir.ru/tiuning-modernizatciia-motornoi-lodki-ob.html
  • http://www.vodkomotornik.ru/catalog/water-transport/katera-s-zheskim-korpusom/ob-motornaya-lodka.html

Тюнинг катеров в Конаково и Москве

Услуги

 
 ! СЕЗОН 

Ремонт катера  
%

Тюнинг катеров    ! СЕЗОН 

Ремонт лодок

Зимнее и летнее хранение

Палубные покрытия карпет / флекстик

Каталог товаров

А также

Снегоходы   

Квадроциклы

Гидроциклы

Наша компания «МаринЛайн» производит тюнинг катеров и тюнинг лодок в соответствии с вашими пожеланиями. Вы станете обладателем катера, которого нет у других. Если вы хотите улучшить ходовые характеристики Вашего судна: увеличить скорость, остойчивость и т.п. — позвоните нам и наши мастера, помогут сделать ваш корабль быстрее и комфортнее.

Полировка катера, его ремонт, хранение и обслуживание – это необходимые меры, которые позволяют поддерживать плавательное средство в должном состоянии. Но очень часто спустя какое-то время после покупки владельцев судна всё чаще посещает мысль о том, чтобы усовершенствовать модель, сделать её более привлекательной внешне, удобной, комфортной и функциональной.

И если вы из числа тех, кто желает внести интересные решения в модернизацию своего катера или лодки, тогда добро пожаловать в «МаринЛайн», где мы предложим вам выполнить оригинальный тюнинг.

Любой хозяин катера, яхты или лодки стремится, чтобы его детище было в хорошем состоянии, имело отличный вид и обладало замечательными ходовыми качествами. Мы поможем вам в этом!

Восстановление корпуса каютного катера Bayliner 192 Capri

Команда MarinLine провела комплекс по восстановлению корпуса каютного каютного катера Bayliner 192 Capri (Байлайнер Капри 192). Во время приемки катера на ремонт были выявлены множественные сколы и царапины корпуса, которые владелец хотел устранить….

ПодробнееЗапросить

Ремонт пластиковых катеров и сезонное обслуживание

Наши сертифицированные механики выполняют ремонт пластиковых катеров и сезонное обслуживание в полном объеме и любой сложности. Обеспеченные всем самым необходимым оборудованием, имеют огромный опыт и высокую квалификацию, регулярно проходят обучение и…

ПодробнееЗапросить

WEBASTO — Автономное отопление, обогрев катера

Воздушные автономные отопители (они же — сухие, они же — фены) предназначены только для обогрева салона автомобиля, отсеки яхт, катеров и т.п. Зато у отопителя такого типа, в отличие от предпусковых, фактически нет ограничений по времени работы — печка…

ПодробнееЗапросить

Изделия из нержавейки

MarinLine предлагает владельцам катеров и лодок произвести точечный тюнинг своего судна используя изделия из нержавейки. В портфолио компании находится огромное количество проделанных работ, а обширный ассортимент на изделия из нержавейки порадует даже…

ПодробнееЗапросить

Консервация и расконсервация катера

Закрытие и открытие сезона является наиболее благоприятным временем для полноценной подготовки судна. Это момент, когда можно выполнить мелкий ремонт катера. От того, в каких условиях находится катер в межсезонье, зависит его работоспособность в будущем….

ПодробнееЗапросить

Комплексный ремонт катера «Прогресс 2М»

Команда MarinLine выполнила очередной глубокий ремонт катера «Прогресс 2М». Работы выполнялись не просто в виде устранения косметических недочетов, но и проделана сложная работа по переборке транца катера «Прогресс 2М», а также была проделана…

ПодробнееЗапросить

Перетяжка салона катера — отделка интерьера катера

Перетяжка салона катера — одно из главных направлений компании «Марин Лайн», где работают одни из лучших мастеров по перетяжки салонов катеров. Мы прикладываем все усилия, чтобы вы остались довольны нашим обслуживанием, а наша отделка салона катеров…

ПодробнееЗапросить

Флекстик — палубное покрытие имитация тика

Флекстик — синтетическое палубное покрытие, заменяющее натуральный тик, имеет отличный внешний вид и полностью имитирует только что отшлифованную тиковую палубу. Имеет натуральный цвет, не скользит, устойчив к ультрафиолетовому излучению, легко отмывается…

ПодробнееЗапросить

Покраска катера

Ищите, где можно сделать покраску катера по доступной цене? Добро пожаловать к нам в «Марин Лайн». Среди услуг по ремонту катера, которые мы рады предложить владельцам плавательных средств. является тюнинг и покраска алюминиевых и пластиковых катеров….

ПодробнееЗапросить

Подробная ошибка IIS 10.0 — 404.11

Ошибка HTTP 404.11 — не найдено

Модуль фильтрации запросов настроен на отклонение запроса, содержащего двойную escape-последовательность.

Наиболее вероятные причины:
  • Запрос содержал двойную escape-последовательность, а фильтрация запросов настроена на веб-сервере, чтобы отклонять двойные escape-последовательности.
Что можно попробовать:
  • Проверьте конфигурацию / систему.webServer / security / requestFiltering @ allowDoubleEscaping в файле applicationhost.config или web.confg.
Подробная информация об ошибке:
Модуль RequestFilteringModule
Уведомление BeginRequest
Обработчик StaticFile
Код ошибки 0x00000000
Запрошенный URL https: // www.yaesu.com:443/airband/downloadfile.cfm?fileid=15340&filecatid=158&filename=ft%2d450d%5fom%5feng%5feh024h358%5f1901l%2dls%2d1.pdf&filecontenttype=application%2dls%2d1. VertexPublic \ downloadfile.cfm? Fileid = 15340 & filecatid = 158 & filename = ft% 2d450d% 5fom% 5feng% 5feh024h358% 5f1901l% 2dls% 2d1.pdf & filecontenttype = application% 2fpdf
Метод входа в систему
Метод входа в систему еще не определен Еще не определено
Дополнительная информация:

Это функция безопасности.Не изменяйте эту функцию, пока не полностью осознаете масштаб изменения. Перед изменением этого значения необходимо выполнить трассировку сети, чтобы убедиться, что запрос не является вредоносным. Если сервер разрешает двойные escape-последовательности, измените параметр configuration/system.webServer/security/[email protected] Это могло быть вызвано неправильным URL-адресом, отправленным на сервер злоумышленником.

Просмотр дополнительной информации »

StroboStomp HD | Строб-тюнеры Peterson

JMH

Джими Хендрикс (E Flat Standard) — D # 2, G # 2, C # 3, F # 3, A # 3, D # 4

IOM

Тони Айомми (стандарт C #) — C # 2, F # 2, B2, E3, G # 3, C # 4

MAH

Головка машины (Alt Drop B) — B1, F # 2, B2, E3, G # 3, B3

JPP

Джимми Пейдж (C6) — C2, A2, C3, G3, C4, E4

NYT

Нил Янг (Double Drop D) — D2, A2, D3, G3, B3, D4

KRG

Кит Ричардс (Open G) — D2, G2, D3, G3, B3, D4

SKA

Slipknot (Drop A) — A1, E2, A2, D3, F # 3, B3

JNI

Джони Митчелл (Open D) — D2, A2, D3, F # 3, A3, D4

JWd

Джонни Винтер (стандарт D) D2, G2, C3, F3, A3, D4

SBJ

Джеймс Тейлор (Стандарт со смещениями) — E2, A2, D3, G3, B3, E4

BKT

Curtis Mayfield (настройка черного ключа) — F # 2, A # 2, C # 3, F # 3, A # 3, F # 4

NST

Роберт Фрипп (New Standard Tuning) C2, G2, D3, A3, E4, G4

NdC

Ник Дрейк (Open Cadd4) — C2, G2, C3, F3, C4, E4

AKT

Альберт Кинг — C2, B2, E3, F # 3, B3, E4

МАР

Джонни Марр (F # Standard — Capo +2) — F # 2, B2, E3, A3, C # 4, F # 4

d50

Даймбэг Даррелл (стандарт D -50 центов) — D2, G2, C3, F3, A3, D4

I-A

Маттиас ‘IA’ Эклунд (C # sus4) — C # 2, G # 2, C # 3, F # 3, G # 3, C # 4

SJd

Skip James (Open D Minor) — D2, A2, D3, F3, A3, D4

KKS

Slayer (E Flat Standard) — D # 2, G # 2, C # 3, F # 3, A # 3, D # 4

MST

Мастодонт — A1, G2, C3, F3, A3, D4

COB

Children of Bodom (Drop C) — C2, G2, C3, F3, A3, D4

AAB

Йохан Содерберг — Амон Амарт (стандарт B) — B1, E2, A2, D3, F # 3, B3

Синергия между захватом рецептора / антигена B-клетками и редактированием пептида MHCII зависит от настройки HLA-DO

Линии B-клеток человека

Клетки T2 представляют собой гибриды TxB человека с дефицитом класса II, которые не экспрессируют ни MHCII, ни белки DM / DO 56 .Стабильные трансфектанты на основе T2, использованные в этом исследовании, включали T2DR4, T2DR4DM 57 (обе клеточные линии были подарены доктором Лизой Дензин, Институт рака Рутгерса, Нью-Джерси) и клетки T2DR4DMDO 12 (сконструированы лабораторией Меллинса). Эти клетки культивировали в полной модифицированной среде Дульбекко Искова (IMDM) с GlutaMAX и 10% инактивированной нагреванием фетальной телячьей сывороткой (FBS, Thermo Fisher Scientific). Экспрессия DR4, DM или DO в каждой клеточной линии поддерживалась на оптимальном уровне при выборе подходящих антибиотиков, как описано ранее 12 .Клетки DP представляют собой иммортализованные клоны В-клеток человека, иммортализованные вирусом Эпштейна-Барра (EBV), которые секретируют аутоантитела против GAD65: DPA или DPD 40,58 (предоставлены доктором Анн-Мари Мадек, INSERM U1060, Faculté de médecine Lyon-Sud. , Oullins Cedex, Франция). Линии DP культивировали в полном IMDM с добавкой среды OPI (Millipore Sigma). Все культуры клеток в этом исследовании поддерживали в инкубаторе 37 ° C, в который постоянно подавали 5% CO2.

Выделение В-клеток миндалин человека

Деидентифицированные ткани миндалин были получены в соответствии с протоколом, одобренным Стэнфордским институциональным наблюдательным советом (IRB № 38079).Ткани миндалин, которые были удалены при тонзиллэктомии, измельчали ​​на небольшие кусочки образца. Эти образцы промывали средой RPMI 1640 (без добавок, Thermo Fisher Scientific) и пропускали через фильтр для клеток из нержавеющей стали 70 мкм (BD Falcon) с использованием стеклянного поршня для создания суспензии отдельных клеток в центрифужных пробирках на 50 мл. Затем клетки осаждали центрифугированием при 1500 об / мин, комнатной температуре (RT) в течение 5 минут, ресуспендировали в 30 мл RPMI 1640 и инкубировали при комнатной температуре в колбе T150 для удаления остатков ткани.После 30–60 мин инкубации клетки осторожно промывали RPMI 1640, пропускали через другой фильтр для клеток 70 мкм в новую центрифужную пробирку на 50 мл и осаждали центрифугированием при 1500 об / мин при комнатной температуре в течение 5 минут. Осадок клеток ресуспендировали в 2–3 мл PBS + 5% инактивированного нагреванием FBS и добавляли в предварительно промытую колонку с волокнами из нейлоновой ваты (Polysciences). Колонку с клетками инкубировали при 37 ° C в течение 1 ч с последующими 2–3 промывками PBS + 5% FBS для удаления клеток, которые не были прикреплены к волокну нейлоновой ваты (включая Т-клетки).Клетки, прилипшие к нейлоновой вате, большинство из которых являются В-клетками, высвобождались путем погружения и собирались в центрифужную пробирку на 50 мл. После промывки PBS + 5% FBS и центрифугирования при 1200 об / мин в течение 10 минут клетки подсчитывали и ресуспендировали в соответствующем количестве замораживающей среды (RPMI-1640, содержащий 10% DMSO, 10% FBS, 1% пенициллин / стрептомицин и 1% пенициллин / стрептомицин). % глутамина) для криоконсервации.

Антитела

Моноклональные антитела (mAb): L243 (ref. 59 ), Map.DM1 (ref. 60 ), Mags.DO5 (ref. 19 ) и CerCLIP.1 (ref. 57 ) были использованы для специфического окрашивания DR, DM, DO и MHCII-ассоциированного CLIP соответственно. Конъюгированные с флуорофором формы этих моноклональных антител, использованные в этом исследовании, включали конъюгированные с FITC L243 (BioLegend), конъюгированные с PE mAb против HLA-DR (BD Biosciences), конъюгированные с Alexa Fluor 568 L243, конъюгированные с Alexa Fluor 647 L243, APC / Cy7-конъюгированный L243 (BioLegend), Alexa Fluor 488-конъюгированная карта.DM1, PE-конъюгированная карта.DM1 (BD Biosciences), Alexa Fluor 647-конъюгированная карта.DM1, Alexa Fluor 700-сопряженная карта. DM1, Alexa Fluor 568-конъюгированные Mags.DO5, CF405S-конъюгированные CerCLIP.1, FITC-конъюгированные CerCLIP.1 (BD Biosciences), Alexa Fluor-568-конъюгированные CerCLIP.1 и Alexa Fluor 647-конъюгированные антитела против CD74 человека (CerCLIP.1, Novus Biology). Антитела, специфичные к эндосомным маркерам, использованные в исследованиях 3D-SIM, включали конъюгированные с Alexa Fluor 488 мышиные mAb против человеческого CD107a (LAMP1) (клон h5A3, Biolegend), мышиные mAb против человеческого EEA1, конъюгированные с Alexa Fluor 488 (клон 3C10, MBL). , Alexa Fluor 488-конъюгированные поликлональные кроличьи антитела против RAB7 человека (Bioss), поликлональные кроличьи антитела против EEA1 (Abcam), поликлональные кроличьи антитела против LAMP1 (Abcam), поликлональные кроличьи антитела против RAB7 человека (подарок от Dr.Suzanne Pfeffer, Департамент биохимии, Стэнфорд) и Alexa Fluor 488, конъюгированные с сильно перекрестно адсорбируемыми козьими антителами против кроличьих IgG (Thermo Fisher Scientific). Антитела, используемые для выделения и окрашивания субпопуляций В-клеток миндалин, включали конъюгированные с FITC антитела против CD3 человека (BD Biosciences), конъюгированные с FITC антитела против CD11c человека (клон Bu15, BioLegend), конъюгированные с FITC антитела против CD14 человека (клон M5E2, Biolegend), FITC-конъюгированные антитела против человеческого CD16 (клон 3G8, BioLegend), PerCP / Cy5.5-конъюгированные мышиные антитела против человеческого CD19 (клон h2B19, BioLegend), PE / Cy7-конъюгированные антитела против человеческого IgD (клон IA6–2 , BioLegend), конъюгированные с Pacific Blue антитела против человеческого IgD (клон IA6-2, BioLegend), конъюгированные с Alexa Fluor 700 против человеческого CD38 (клон HIT2, BioLegend), PE-конъюгированные антитела против человеческого CD69 (клон CH / 4, Thermo Fisher Scientific), мышиные антитела против CD69 человека, конъюгированные с PE / CF594 (клон FN50, BD Biosciences), конъюгированные с PE / Cy7 против CD86 человека (клон IT2.2, BioLegend), APC-конъюгированные антитела против CD86 человека (клон IT2.2, BioLenggend). Антитела, используемые в исследовании интернализации BCR-GAD65, включали конъюгированные с Alexa Fluor 488 козьи античеловеческие IgG (Thermo Fisher Scientific), моноклональные мышиные анти-GAD65 (Millipore Sigma), моноклональные мышиные анти-GAD2 (ImmunoGen) и Alexa Fluor. 488-конъюгированный с высокой степенью перекрестной адсорбции козий антимышиный IgG (H + L) (Thermo Fisher Scientific). CerCLIP.1, L243, Map.DM1 очищали от мышиного асцита с использованием шариков с протеином G (GE Healthcare), а затем метили соответствующим красителем Alexa Fluor, карбоновым эфиром, сукцинимидиловым эфиром (Thermo Fisher Scientific) с последующей эксклюзионной хроматографией с использованием геля Superdex 200. фильтрующая колонка (GE Healthcare) для удаления лишнего свободного красителя.

Клонирование единичных клеток и культивирование линий, производных от Т2

3 миллиона клеток T2DR4DMDO сначала были помечены фиксируемым красителем мертвых клеток LIVE / DEAD (Thermo Fisher Scientific) в фосфатно-солевом буфере (PBS) на льду в течение 30 минут, а затем промыты. и ресуспендирован в 0.3 мл PBS + 1% бычьего сывороточного альбумина (BSA) + 2 мМ этилендиаминтетрауксусной кислоты (EDTA) для поверхностного окрашивания DR4-ассоциированного CLIP. Клетки окрашивали FITC-CerCLIP.1 (разведение 1: 5) на льду в течение 30 минут и трижды промывали 0,5 мл PBS + 1% BSA + 2 мМ EDTA перед ресуспендированием в 0,5 мл PBS + 1% BSA + 2 мМ EDTA. для сортировки отдельных ячеек. Сортировку клеток, активируемых флуоресценцией отдельных клеток (FACS), выполняли с использованием BD FACSAria II (BD Biosciences) в Стэнфордском общем центре FACS. Каждую клетку (CLIP hi или CLIP lo ) сортировали в лунку, содержащую 100 мкл полного IMDM с GlutaMax, 10% FBS и 1% пенициллина / стрептомицина в 96-луночном круглодонном планшете.Еще 100 мкл полной среды IMDM GlutaMAX добавляли в каждую лунку 96-луночного планшета перед инкубацией планшета при 37 ° C. Верхние ~ 150 мкл среды осторожно заменяли свежей средой каждые 7 дней, пока на дне планшета не наблюдалось скопление клеток. Затем клетки переносили в более крупные лунки с плоским дном 48-луночного планшета с удвоенными или утроенными объемами свежей среды + 1 мг / мл G418 (Генетицин) + 1 мкг / мл пуромицина + 100 мкг / мл зеоцина (Thermo Fisher Scientific). для поддержания давления отбора для экспрессии DR4, DM и DO в отсортированных клонах T2DR4DMDO.При соответствующих условиях отбора многие одиночные клональные линии поддерживали постоянный уровень экспрессии общего белка DR4, DM или DO в течение нескольких недель последующего увеличения и культивирования. Мы также заметили, что уровни экспрессии этих белков могут снизиться, если реагент отбора был удален из культуры.

Выделение субпопуляций В-клеток миндалин

В-клетки миндалин человека размораживали на льду и дважды промывали PBS + 5% FBS. Большинство мертвых клеток и дебриса отделяли от живых В-клеток центрифугированием в градиенте плотности с использованием среды для разделения лимфоцитов (MP Biomedicals).В-клетки снова промывали, подсчитывали и ресуспендировали в PBS при плотности 10 × 10 6 клеток / мл. Клетки окрашивали фиксируемым красителем мертвых клеток LIVE / DEAD в течение 30 мин. После окрашивания живых / мертвых клеток промывали PBS и ресуспендировали в RPMI без фенола (среда RPMI 1640, без глутамина, без фенолового красного, Thermo Fisher Scientific) с добавлением 3% FBS. Затем В-клетки окрашивали на льду смесью антител, включая: анти-CD3, анти-CD11c, анти-CD14, анти-CD16, анти-CD19, анти-CD38 и анти-IgD антитела.После 30-40 мин окрашивания поверхности клетки промывали RPMI, не содержащим фенолового красного, и пропускали через фильтр 70 мкм перед загрузкой в ​​сортировщик клеток. FACS выполняли с использованием FACSAria II в Стэнфордском совместном предприятии FACS с использованием сопла 70 мкМ. В-клетки (CD3-, CD14-, CD16-, CD11c-, CD19 +) были разделены на субпопуляции наивных (IgD +, CD38-), памяти (IgD-, CD38-) и GC (IgD-, CD38 +), как описано ранее 18,19 . Отсортированные клетки, ресуспендированные в RPMI с добавлением 3% FBS, хранили на льду.Чистота отсортированных подмножеств В-клеток была подтверждена повторным нанесением образца на сортировщик клеток сразу после сортировки.

Активация субпопуляций В-клеток миндалин

Наивные, клетки памяти и GC B инкубировали при плотности 10 6 клеток / мл с или без активационного коктейля в среде IMDM с добавлением 10% FBS, 1% пенициллина / стрептомицина и 1% глутамина при 37 ° C в течение различных периодов времени до анализа с помощью проточной цитометрии для определения уровней общего белка, с помощью iFACS для расчета DM free / CLIP freq или с помощью 3D-SIM для количественной оценки совместной локализации белков .Активационный коктейль содержал 20 нг / мл IL-4 (Peprotech), 20 нг / мл IL-2 (BioLegend), 200 нг / мл MEGACD40L (лиганд CD4 человека, Enzo Biochem Inc), 5 мкг / мл Goat Адсорбированный мышиный F (ab ‘) 2 против человеческого IgG-UNLB и 5 мкг / мл Goat F (ab’) 2 против человеческого IgM-UNLB (Southern Biotech).

Сшивание BCR на линиях клеток DP

Клетки DPA или DPD инкубировали при плотности 2 × 10 6 клеток / мл с или без 5 мкг / мл козьего F (ab ‘) 2 против IgG человека в полная среда IMDM GlutaMAX с добавлением 10% FBS, 1% пенициллина / стрептомицина и 1% глутамина при 37 ° C в течение указанного периода времени.В другой момент времени (например, 0, 20 мин, 1 час и 2 часа) 0,2 миллиона клеток собирали центрифугированием при 400 xg, 4 ° C в течение 5 минут и инкубировали при плотности 10 × 10 6 клеток. / мл с 10 мкг / мл конъюгированного с Alexa Fluor 488 козьего античеловеческого IgG в PBS + 1% BSA на льду в течение 30 мин для окрашивания поверхностного BCR. После двух промывок PBS + 1% BSA клетки анализировали на проточном цитометре FACSCalibur (BD Biosciences).

Стимуляция клеточных линий DP с помощью GAD65

Клетки DPA или DPD инкубировали при плотности 10 × 10 6 клеток / мл с или без 2 мкг / мл GAD65 (Abcam) в PBS + 1% BSA на льду в течение 1 час, чтобы загрузить GAD65 в BCR, в то время как интернализация BCR ингибируется.Клетки, нагруженные или ненагруженные GAD65, промывали PBS + 1% BSA, осаждали центрифугированием при 400 мкг, 4 ° C в течение 5 мин, ресуспендировали при плотности 2 × 10 6 клеток / мл в полной среде IMDM GlutaMAX содержащие 5 мкг / мл GAD65 или без антигена, а затем инкубировали при 37 ° C в течение указанного периода времени. Через 0, 20 мин, 1 час и 2 часа 0,6 миллиона клеток были собраны центрифугированием при 400 xg, 4 ° C в течение 5 минут и использованы в трех различных анализах: 1) 0,2 миллиона клеток были использованы для анализа iFACS (см. Ниже ).2) 0,2 миллиона клеток инкубировали при плотности 10 × 10 6 клеток / мл с 10 мкг / мл козьего античеловеческого IgG, конъюгированного с Alexa Fluor 488, в PBS + 1% BSA на льду в течение 30 минут для окрашивания поверхностного BCR. . 3) 0,2 миллиона клеток инкубировали при плотности 10 × 10 6 клеток / мл с 10 мкг / мл антитела против GAD65 на льду в течение 30 минут для окрашивания поверхности GAD65 с последующими двумя промываниями PBS + 1% BSA и вторичное окрашивание 10 мкг / мл конъюгированного с Alexa Fluor 488 козьего антимышиного IgG (H + L) в PBS + 1% BSA на льду в течение 30 мин.Меченые антителами клетки в 2) и 3) анализировали на проточном цитометре BD FACSCalibur.

Массовый анализ общих белков MHC с помощью проточной цитометрии

Клетки фиксировали / повышали проницаемость с использованием реагента Cytofix / Cytoperm (100 мкл на миллион клеток, BD Pharmingen) при комнатной температуре в течение 20 минут и дважды промывали 1x буфером Permwash (BD Pharmingen ) до мечения иммунофлуоресцентных антител. Промытые клетки осаждали центрифугированием при 400 × g, 4 ° C в течение 5 мин и ресуспендировали в 1x буфере Permwash, содержащем конъюгированные с флуорофором DR-, DM-DO- и CLIP-специфические антитела (~ 1 мкг каждого антитела на миллион клеток. на 100 мкл буфера) и инкубировали на льду в течение 1 ч.Меченые антителами клетки дважды промывали 1x буфером Permwash и затем ресуспендировали в PBS + 1% BSA для анализа на проточном цитометре, FACSCalibur или LSRII (BD Biosciences). Данные проточной цитометрии анализировали с использованием программного обеспечения FlowJo (Tree Star, Inc.).

Определение внутриклеточных уровней CLIP с помощью проточной цитометрии

Клетки сначала метили фиксируемым красителем мертвых клеток LIVE / DEAD в PBS на льду в течение 30 мин, а затем промывали PBS и окрашивали FITC-CerCLIP.1 (1: 5 разведение) в PBS + 1% BSA при плотности клеток 10 × 10 6 клеток / мл на льду в течение 30 мин.После инкубации клетки дважды промывали PBS + 1% BSA и фиксировали / повышали проницаемость, как описано выше. Половину фиксированных / проницаемых клеток ресуспендировали в PBS + 1% BSA для проточного цитометрического анализа поверхностных уровней CLIP; другую половину ресуспендировали при плотности 10 × 10 6 клеток / мл в 1x буфере Permwash, содержащем FITC-CerCLIP.1 (разведение 1: 5), и инкубировали на льду в течение 30 минут для окрашивания внутриклеточного CLIP. Вторую половину CLIP-меченых клеток дополнительно дважды промывали 1x буфером Permwash и затем ресуспендировали в PBS + 1% BSA для проточного цитометрического анализа общих уровней CLIP.Уровни внутриклеточного CLIP, которые связаны с MHCII, были рассчитаны как:

$$ {\ rm {MFI}} \, ({{\ rm {CLIP}}} _ {{\ rm {int}}}) = { \ rm {MFI}} \, ({{\ rm {CLIP}}} _ {{\ rm {tot}}}) — {\ rm {MFI}} \, ({{\ rm {CLIP}}} _ {{\ rm {srf}}}). $$

Индекс клеточной сортировки, активируемой флуоресценцией (iFACS)

Клетки сначала были помечены LIVE / DEAD фиксируемым водно-мертвым красителем в PBS на льду в течение 30 мин. а затем фиксировали / пермеабилизировали и метили конъюгированными с флуорофором DR-, DM-DO- и CLIP-специфическими антителами с использованием той же процедуры, что и при массовом анализе общих белков MHC.Сортировщик клеток BD FACSAria II использовали для сортировки отдельных клеток в 96-луночный планшет. Во время сортировки клеток функция индекса 61 была включена для записи интенсивности флуоресценции индекса (ИФ). Индексные FI включали FI в каждом канале обнаружения белка для индивидуально отсортированных одиночных клеток. iFACS проводился в Стэнфордском общем центре FACS. Данные индекса FI были экспортированы в Excel из программы BD FACSDIVA (BD Biosciences) и могут быть проанализированы отдельно от файлов стандарта проточной цитометрии (FCS).

Расчет DM

free / CLIP freq с использованием данных индекса FI

Удаление CLIP для пептидного обмена в B-клетках в значительной степени зависит от каталитической функции DM. Следовательно, относительное количество свободных молекул DM по отношению к MHCII-ассоциированному CLIP в каждой отдельной клетке является критическим параметром, который отражает эффективность удаления CLIP. Данные индекса FI, связанные с индивидуально отсортированными отдельными ячейками, позволяют вычислить такой параметр: DM бесплатно / CLIP freq .Чем выше число, тем эффективнее клетка может сканировать загруженный CLIP MHCII и катализировать высвобождение CLIP. В отличие от тесного взаимодействия DM / DO 12,23,24 , DM только временно связывается с пептидно-рецептивной формой MHCII 5,6,62 . Следовательно, молекулы DM, которые не связаны с DO, свободны от субстрата и способны получать доступ к загруженному CLIP MHCII и катализировать обмен пептидов. Используя данные индекса FI, полученные для отдельных ячеек, свободный DM можно рассчитать как:

$$ {{\ rm {DM}}} _ {{\ rm {free}}} = {{\ rm {DM}}} _ {{\ rm {tot}}} — {{\ rm {DM}}} _ {{\ rm {DO}} — {\ rm {associated}}} $$

, где от до немецких марок на ячейку определяется индексом FI в канале обнаружения DM после нормализации для соты (деленной на FSC).Связанный с DO DM на ячейку оценивался индексом FI в канале обнаружения DO после нормализации для размера ячейки. Частоту загруженного CLIP MHCII среди всех молекул MHCII в одной и той же ячейке можно рассчитать как:

$$ {{\ rm {CLIP}}} _ {{\ rm {freq}}} = {{\ rm {CLIP }}} _ {{\ rm {tot}}} / {{\ rm {MHCII}}} _ {{\ rm {tot}}} $$

, где CLIP до на ячейку определялся индексом FI на канал обнаружения CLIP после нормализации для размера ячейки. MHCII на ячейку оценивали по индексу FI в канале обнаружения DR после нормализации для размера ячейки.Примечательно, что сравнение DM free / CLIP freq было выполнено среди отдельных клеток от одного и того же индивидуума, уровни экспрессии DR которых наиболее вероятно пропорциональны их уровням экспрессии MHCII; Использование DR tot (≈cMHC tot , где c — константа) при вычислении CLIP freq должно иметь минимальное влияние на эти сравнения. Примеры этих сравнений включали наивные миндалины и В-клетки памяти от одного и того же донора, а также линии DPA и моноклональные В-клетки DPD, выделенные от одного и того же пациента, у которого развился диабет 1 типа 58 .Кроме того, поскольку индекс FI, представляющий уровни DM и DO, был измерен двумя независимыми каналами обнаружения в эксперименте iFACS, вполне вероятно, что (FI DM / FSC — FI DO / FSC) для определенных клеток приводит к отрицательному результату. ценить. Однако для относительных значений это не влияет на сравнение эффективности катализа удаления CLIP или пептидного обмена между двумя группами клеток. Например, по сравнению с отрицательным значением положительное значение означает относительно больше DM свободных DM на ячейку.Однако, чтобы соответствовать физиологическому значению DM свободный , все значения (DM до — DM , связанный с DO ) в эксперименте вычитались на минимальное значение (DM до — DM DO- связанный ) из ​​одного и того же эксперимента дважды (линейное преобразование данных), чтобы привести все значения к положительным, при этом минимальное значение теперь становится | DM до — DM , связанное с DO | мин. .

Подготовка образцов для 3D-SIM

Клетки фиксировали / повышали проницаемость с использованием реагента Cytofix / Cytoperm (BD Pharmingen) при комнатной температуре в течение 20 минут (для клеточных линий) или на льду в течение 30 минут (для B-клеток миндалин) и дважды промывали с 1x буфером Permwash (BD Pharmingen).Для FACS-отсортированных В-клеток миндалин (до или после активации in vitro ) фиксированные / проницаемые клетки подвергались воздействию белого света высокой интенсивности от металлогалогенного источника света (MME-250, тип 250 Вт, TRI Vision, www. triv.co.kr) в течение 2 часов на льду для полного фотообесцвечивания остаточных флуорофоров (подтверждено проточной цитометрией и 3D-SIM). Затем фиксированные / проницаемые клетки окрашивали антителами, специфичными для эндосомального маркера, и отобранных белков в 1x буфере Permwash + 50 мМ глицина, используя тот же подход, который использовался выше для анализа проточной цитометрии.Избыток антител в окрашивающем растворе удаляли путем интенсивных промывок: 2–3 промывки с использованием 1x Permwash + 50 мМ глицина с последующими 2–3 промываниями с использованием PBS + 1% BSA + 50 мМ глицина. Глицин был добавлен для ингибирования неспецифического связывания. Красители Alex Fluor были использованы из-за их яркости и фотостабильности. Было минимальное различие при обнаружении эндосомальной локализации белков MHC путем прямого окрашивания (то есть с использованием красителя Alexa Fluor, непосредственно конъюгированного с LAMP1, EEA1 или RAB7) по сравнению с непрямым окрашиванием (т.е.(например, с использованием кроличьих антител против LAMP1, EEA1 или RAB7 с последующим применением конъюгированных с вторичным красителем Alexa Fluor антител против кроликов). В экспериментах, которые генерировали данные для количественной оценки совместной локализации поверхность-поверхность, было выбрано прямое окрашивание для минимизации отношения сигнал / шум. Alexa Fluor 488 использовался для эндосомных маркеров, Alexa Fluor 568 использовался для CLIP или DO, а Alexa Fluor 647 использовался для DR или DM. Меченые антителами клетки ресуспендировали в PBS + 1% BSA + 50 мМ глицина с плотностью 10 6 клеток / мл и 100 мкл переносили в пустую одиночную цитофуннель Shandon с белыми фильтрующими картами (Thermo Scientific Fisher), которые были предварительно обработаны. — обрабатывали промыванием 1 мл PBS с последующим цитоспиннингом.Затем воронку с образцами клеток собирали с помощью высокоточного покровного стекла (24 × 50 мм, 170 ± 5 мкм, № 1.5 H, MARIENFELD) и предметного стекла из нержавеющей стали для цитологии Shandon (Thermo Scientific Fisher) для цитоспинации клеток на покровное стекло и образуют осадок однослойных клеток. Цитоспин выполняли на цитоцентрифуге в режиме медленного ускорения 500 об / мин в течение 5 мин. После разборки покровное стекло ненадолго сушили на воздухе, а место, где образовался осадок однослойных клеток, покрывали 14 мкл среды SlowFade Gold Antifade с DAPI (Thermo Fisher Scientific).Затем покровное стекло переворачивали и устанавливали поверх предварительно очищенного плоского микропрепарата Gold Seal (25 × 75 мм, Thermo Fisher Scientific) и края закрывали лаком для ногтей.

Сбор и реконструкция данных 3D-SIM

Applied Precision N = 1,514 на покровное стекло было нанесено иммерсионное масло (GE Healthcare). Микрослайд перевернули и поместили над линзой объектива (U-PLANAPO 100 ×, N.A. 1.40) на платформе микроскопа OMX V4 стороной с образцом и покровным стеклом вниз.Изображения получали в режиме SIM с использованием системы визуализации Applied Precision DeltaVision OMX (GE Healthcare) с четырьмя лазерами (100 мВт: 405 нм, 488 нм, 568 нм; 300 мВт, 642 нм MONET) и 3 камерами обнаружения emCCD. Длины волн для эмиссионных фильтров: 435/31 нм для DAPI или эквивалентного канала красителя, 528/48 нм для Alexa Fluor 488 или эквивалентного канала красителя, 609/37 нм для Alexa Fluor 568 или эквивалентного канала красителя и 683/40 нм для Alex Fluor 647 или эквивалентного канала красителя (обнаружение с помощью той же камеры, что и для канала DAPI).Отношение сигнал (максимум) к шуму (минимум) на каждом канале было оптимизировано (> 10 раз), мощность лазера (% T) была установлена ​​на ≤10%, а экспозиция ниже ≤80 мс, чтобы минимизировать фотообесцвечивание. Размер Т2 и В-клеток миндалин составляет ~ 5-10 мкм и ~ 2-5 мкм соответственно. Представляющее интерес микроскопическое поле XY размером 512 × 512 пикселей (0,08 мкм / пиксель) или, точнее, трехмерное пространство между покровным стеклом и микропрепаратом, содержащим образец однослойных клеток, сканировали по оси Z с шагом 0,125 мкм. ~ 50–80 сканированных оптических срезов трехмерного пространства, содержащего образец, дали стопку из ~ 50–80 2D XY изображений.Затем стопку изображений реконструировали в объемное трехмерное изображение с помощью программного обеспечения для обработки изображений softWoRx 7.0.0 (GE Healthcare). Реконструкция структурированного освещения (SI) OMX была выполнена с использованием специфической для канала оптической передаточной функции (OTF) с специфичными для канала фильтрами Винера: 0,0030 для канала DAPI, 0,0010 для канала Alexa Fluor 488, 0,0010 для канала Alexa Fluor 568 и 0,003 для канала Alex Fluor 647. Изображения OMX были скорректированы на хроматическую аберрацию и выровнены с использованием ящика источника изображения сине-зелено-красного (BGR).

Расчет совместной локализации поверхность-поверхность с использованием данных 3D-SIM

Трехмерное изображение, реконструированное SI, было просмотрено и проанализировано с помощью программного обеспечения для анализа изображений Imaris v9.4 (ImarisXT, Bitplane Inc, http://bitplane.com). Для каждого исходного канала была создана объемная поверхность, соединяющая вокселы (0,08 мкм x 0,08 мкм x 0,08 мкм), которые содержат сигналы флуоресценции, связанные с целевым белком, чтобы моделировать локализацию белка. Для минимизации шума алгоритм допускал сглаживание на 0.08 мкм «Уровень детализации площади поверхности» и вычитание фона на 0,16 мкм «Диаметр самой большой сферы, которая вписывается в объект». Фильтр, используемый для классификации поверхности, был «Число вокселей выше» 5. При наличии объемных поверхностей, доступных в двух исходных каналах, перекрывающаяся поверхность затем была рассчитана с использованием Xtension «совместная локализация поверхности и поверхности», основанного на METLAB алгоритма, построенного как патч расширения. для Имарис. Это Xtension создало новый канал для перекрывающейся поверхности, который включает вокселы, общие для двух поверхностей исходного канала.Объемное суммирование вокселей в пределах перекрывающейся поверхности, деленное на объемное суммирование вокселов в пределах одной поверхности в исходном канале, использовалось для оценки процента белка, представленного исходным каналом, который совмещен с другим белком.

Статистический анализ

Во всех статистических анализах этого исследования сравнивалась одна переменная между двумя группами образцов. Таким образом, двусторонний тест t был использован для определения статистической значимости разницы со значимостью, определяемой как P <0.05. t-критерий Велча использовался, если две группы выборок имели неравные дисперсии или разный размер выборки. T-критерий парных выборок использовался, если в двух группах были совпадающие пары образцов. Вся статистика проводилась с помощью GraphPad Prism с использованием встроенного анализа.

Зонная инженерия двумерных полупроводниковых материалов

  • 1.

    Лекция Х. Кремера Нобеля: квазиэлектрические поля и смещения зон: обучение электронам новым трюкам. Ред. Мод. Phys. 73 , 783–793 (2001).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 2.

    Эсаки, Л. и Цу, Р. Сверхрешетка и отрицательная дифференциальная проводимость в полупроводниках. IBM J. Res. Dev. 14 , 61–65 (1970).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 3.

    Ли, М. Л., Фицджеральд, Э. А., Булсара, М. Т., Карри, М. Т., Лохтефельд, А. Напряженные каналы si, sige и ge для полевых транзисторов с высокой подвижностью металл-оксид-полупроводник. J. Appl. Phys. 97 , 011101 (2005).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 4.

    Нин, К.-З., Доу, Л. и Янг, П. Технология создания запрещенной зоны в наноматериалах из полупроводниковых сплавов с широко регулируемым составом. Нат. Rev. Mater. 2 , 17070 (2017).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 5.

    Чу М., Сунь Ю., Aghoram, U. & Thompson, S. E. Strain: решение для повышения подвижности носителей в наноразмерных полевых МОП-транзисторах. Annu. Rev. Mater. Res. 39 , 203–229 (2009).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 6.

    Thijs, J., Tiemeijer, L. F., Kuindersma, P., Binsma, J. & Van Dongen, T. Высокопроизводительные лазеры и усилители на квантовых ямах InGaAs-InGaAsP с длиной волны 1,5 мкм и длиной волны м. IEEE J. Quantum Electron. 27 , 1426–1439 (1991).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 7.

    Mimura, T., Hiyamizu, S., Fujii, T. и Nanbu, K. Новый полевой транзистор с селективно легированным GaAs / n-al x ga 1- x как гетеропереходы. Jpn. J. Appl. Phys. 19 , L225 – L227 (1980).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 8.

    Kroemer, H. Предлагаемый класс инжекционных лазеров на гетеропереходах. Proc. IEEE 51 , 1782–1783 (1963).

    Артикул

    Google ученый

  • 9.

    Faist, J. et al. Квантовый каскадный лазер. Наука 264 , 553–556 (1994).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 10.

    Чанг Л. и Эсаки Л. Полупроводниковые квантовые гетероструктуры. Phys. Сегодня 45 , 36–43 (1992).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 11.

    Цуй Д. К., Стормер Х. Л. и Госсард А. С. Двумерный магнитотранспорт в экстремальном квантовом пределе. Phys. Rev. Lett. 48 , 1559–1562 (1982).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 12.

    Новоселов К.С. и др. Двумерные атомные кристаллы. Proc. Natl Acad. Sci. США 102 , 10451–10453 (2005).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 13.

    Avouris, P., Heinz, T.F & Low, T. 2D Materials . (Издательство Кембриджского университета, 2017).

  • 14.

    Гейм А.К., Григорьева И.В. Гетероструктуры Ван-дер-Ваальса. Природа 499 , 419 (2013).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 15.

    Новоселов, К. С., Мищенко, А., Карвалью, А., Кастро Нето, А. Х. 2D материалы и гетероструктуры Ван-дер-Ваальса. Наука 353 , aac9439 (2016).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 16.

    Redaelli, L. et al. Влияние толщины квантовой ямы на характеристики солнечных фотоэлементов. Прил. Phys. Lett. 105 , 131105 (2014).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 17.

    Ван, К. Х., Калантар-Заде, К., Кис, А., Коулман, Дж. Н., Страно, М. С. Электроника и оптоэлектроника двумерных дихалькогенидов переходных металлов. Нат. Nanotechnol. 7 , 699 (2012).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 18.

    Wang, G. et al. Коллоквиум: экситоны в атомарно тонких дихалькогенидах переходных металлов. Ред. Мод. Phys. 90 , 021001 (2018).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 19.

    Kappera, R. et al. Фазовые низкоомные контакты для сверхтонких транзисторов MoS 2 . Нат. Матер. 13 , 1128 (2014).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 20.

    Fei, Z. et al. Краевая проводимость в монослое WTe 2 . Нат. Phys. 13 , 677 (2017).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 21.

    Island, J. O. et al. Сверхвысокий фотоотклик многослойных нанолентных транзисторов TiS 3 . Adv. Опт. Матер. 2 , 641–645 (2014).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 22.

    Lei, S. et al. Синтез и фотоотклик больших атомных слоев газа. Nano Lett. 13 , 2777–2781 (2013).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 23.

    Li, L. et al. Однослойные монокристаллические нанолисты SnSe. J. Am. Chem. Soc. 135 , 1213–1216 (2013).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 24.

    Huang, Y. & Sutter, P., SnS 2 : новый слоистый полупроводник из дихалькогенидов металлов. Тезисы мартовского собрания APS (2015).

  • 25.

    Анасори Б., Лукацкая М. Р., Гогоци Ю. 2D карбиды и нитриды металлов (MXenes) для хранения энергии. Нат. Rev. Mater. 2 , 16098 (2017).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 26.

    AlBalushi, Z. Y. et al. Двумерный нитрид галлия, реализованный посредством инкапсуляции графена. Нат. Матер. 15 , 1166 (2016).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 27.

    Dean, C.R. et al. Подложки из нитрида бора для высококачественной графеновой электроники. Нат. Nanotechnol. 5 , 722 (2010).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 28.

    млн лет назад W. et al. Плоские анизотропные поляритоны и поляритоны со сверхмалыми потерями в естественном кристалле Ван-дер-Ваальса. Природа 562 , 557 (2018).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 29.

    Lodesani, A. et al. Графен как идеальный буферный слой для роста высококачественных ультратонких слоев Cr 2 O 3 слоев на Ni (111). ACS Nano 13 , 4361–4367 (2019).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 30.

    Луи, К. Х., Лю, Л., Мак, К. Ф., Флинн, Г. В. и Хайнц, Т. Ф. Ультраплоский графен. Природа 462 , 339 (2009).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 31.

    Ходес, Г. Солнечные элементы на основе перовскита. Наука 342 , 317–318 (2013).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 32.

    Лю М., Джонстон М. Б. и Снайт Х. Дж. Эффективные плоские перовскитные солнечные элементы с гетеропереходом путем осаждения из паровой фазы. Природа 501 , 395 (2013).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 33.

    Фу, Л. и Кейн, К. Л. Сверхпроводящий эффект близости и майорановские фермионы на поверхности топологического изолятора. Phys. Rev. Lett. 100 , 096407 (2008).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 34.

    Huang, B. et al. Слоистый ферромагнетизм в кристалле Ван-дер-Ваальса вплоть до монослойного предела. Природа 546 , 270 (2017).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 35.

    Gong, C. et al. Открытие собственного ферромагнетизма в двумерных кристаллах Ван-дер-Ваальса. Природа 546 , 265 (2017).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 36.

    Ding, W. et al. Прогнозирование собственных двумерных сегнетоэлектриков в In 2 Se 3 и других материалах III 2 -VI 3 Ван-дер-Ваальса. Нат. Commun. 8 , 14956 (2017).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 37.

    Liu, H. et al. Фосфорен: неизученный двумерный полупроводник с высокой подвижностью дырок. ACS Nano 8 , 4033–4041 (2014).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 38.

    Vogt, P. et al. Силицен: убедительные экспериментальные доказательства графеноподобного двумерного кремния. Phys. Ред.Lett. 108 , 155501 (2012).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 39.

    Li, L. et al. Образование коробления германена на pt (111). Adv. Матер. 26 , 4820–4824 (2014).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 40.

    Zhu, Z. et al. Формирование однослойных материалов на основе тэ на основе мультивалентности: объединение первых принципов и экспериментального исследования. Phys. Rev. Lett. 119 , 106101 (2017).

    Артикул

    Google ученый

  • 41.

    Kochat, V. et al. Атомарно тонкие слои галлия от расслоения твердого тела-расплава. Sci. Adv. 4 , e1701373 (2018).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 42.

    Ji, J. et al. Двумерные монокристаллы антимонена, выращенные методом ван-дер-ваальсовой эпитаксии. Нат. Commun. 7 , 13352 (2016).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 43.

    Wu, R. et al. Монокристаллические листы борофена большой площади на поверхности Cu (111). Нат. Nanotechnol. 14 , 44 (2019).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 44.

    Li, L. et al. Прямое наблюдение слоистой электронной структуры фосфора. Нат. Nanotechnol. 12 , 21 (2017).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 45.

    Zhang, G. et al. Определение послойно-зависимых энергий связи экситонов в многослойном черном фосфоре. Sci. Adv. 4 , eaap9977 (2018).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 46.

    Zhang, G. et al. Инфракрасные отпечатки пальцев из многослойного черного фосфора. Нат. Commun. 8 , 14071 (2017).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 47.

    Low, T. et al. Настраиваемые оптические свойства многослойных тонких пленок черного фосфора. Phys. Ред. B 90 , 075434 (2014).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 48.

    де Соуза, Д. Дж. П., де Кастро, Л. В., даКоста, Д. Р., Перейра, Дж.М. и Лоу, Т. Многослойный черный фосфор: от описания с сильной привязкой к континуальному описанию. Phys. Ред. B 96 , 155427 (2017).

    Артикул

    Google ученый

  • 49.

    Руденко А. Н., Кацнельсон М. И. Квазичастичная зонная структура и модель сильной связи для одно- и двухслойного черного фосфора. Phys. Ред. B 89 , 201408 (2014).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 50.

    He, J., Hummer, K. и Franchini, C. Эффекты стекинга на электронные и оптические свойства двухслойных дихалькогенидов переходных металлов MoS 2 , MoSe 2 , WS 2 и WSe 2 . Phys. Ред. B 89 , 075409 (2014).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 51.

    Li, Y. et al. Исследование свойств симметрии многослойного MoS 2 и h-bn с помощью оптической генерации второй гармоники. Nano Lett. 13 , 3329–3333 (2013).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 52.

    Xi, X. et al. Изинговское спаривание в сверхпроводящих атомных слоях NbSe 2 . Нат. Phys. 12 , 139 (2016).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 53.

    Мак, К. Ф., Ли, К., Хоун, Дж., Шан, Дж. И Хайнц, Т. Ф. Атомно тонкий MoS2: новый прямозонный полупроводник. Phys. Rev. Lett. 105 , 136805 (2010).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 54.

    Splendiani, A. et al. Возникающая фотолюминесценция в монослое MoS 2 . Nano Lett. 10 , 1271–1275 (2010).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 55.

    Арора, А., Ногаевски, К., Молас, М., Коперски, М. и Потемски, М.Зонная структура экситона в слоистом MoSe 2 : от монослоя до объемного предела. Наноразмер 7 , 20769–20775 (2015).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 56.

    Molas, M. R. et al. Оптический отклик однослойного, многослойного и объемного дисульфида вольфрама. Наноразмер 9 , 13128–13141 (2017).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 57.

    Zhao, W. et al. Эволюция электронной структуры в атомарно тонких листах WS 2 и WSe 2 . САУ Нано 7 , 791–797 (2013).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 58.

    Tongay, S. et al. Поведение монослоя в объеме ReS 2 из-за электронной и колебательной развязки. Нат. Commun. 5 , 3252 (2014).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 59.

    Jariwala, B. et al. Синтез и характеристика слоистых монокристаллов халькогенидов ReS 2 и ReSe 2 . Chem. Матер. 28 , 3352–3359 (2016).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 60.

    Zhang, G. et al. Оптические и электрические свойства двумерного диселенида палладия. Прил. Phys. Lett. 114 , 253102 (2019).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 61.

    Yu, X. et al. Атомно тонкий дихалькогенид благородного металла: широкополосный полупроводник среднего инфракрасного диапазона. Нат. Commun. 9 , 1545 (2018).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 62.

    Озчелик, В. О., Азадани, Дж. Г., Янг, К., Кестер, С. Дж. И Лоу, Т. Выравнивание зон двумерных полупроводников для создания гетероструктур с синхронизацией импульсного пространства. Phys. Ред. B 94 , 035125 (2016).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 63.

    Bellus, M. Z. et al. Ван-дер-ваальсова гетероструктура I типа, образованная монослоями MoS 2 и ReS 2 . Nanoscale Horiz. 2 , 31–36 (2017).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 64.

    Накамура, С., Сено, М., Иваса, Н. и Нагахама, С.-И. Яркие синие, зеленые и желтые светодиоды с квантовыми ямами. Jpn. J. Appl. Phys. 34 , L797 (1995).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 65.

    Hong, X. et al. Сверхбыстрый перенос заряда в атомарно тонких гетероструктурах MoS 2 / WS 2 . Нат. Nanotechnol. 9 , 682 (2014).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 66.

    Бернарди, М., Палуммо, М.И Гроссман, Дж. С. Чрезвычайное поглощение солнечного света и фотогальваника толщиной один нанометр с использованием двухмерных однослойных материалов. Nano Lett. 13 , 3664–3670 (2013).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 67.

    Cheng, R. et al. Высокопроизводительные многофункциональные устройства на основе асимметричных гетероструктур Ван-дер-Ваальса. Нат. Электрон. 1 , 356 (2018).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 68.

    Ли, М. О., Эссени, Д., Нахас, Дж. Дж., Йена, Д. и Син, Х. Г. Двумерные гетеропереходные межслойные туннельные полевые транзисторы (тонкие TFET). IEEE J. Electron Devices Soc. 3 , 200–207 (2015).

    Артикул

    Google ученый

  • 69.

    Rivera, P. et al. Наблюдение долгоживущих межслоевых экситонов в однослойных гетероструктурах MoSe 2 -WSe 2 . Нат. Commun. 6 , 6242 (2015).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 70.

    Rivera, P. et al. Межслоевые долинные экситоны в гетерослоях дихалькогенидов переходных металлов. Нат. Nanotechnol. 13 , 1004–1015 (2018).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 71.

    Чавес А., Азадани Дж. Г., Озчелик В. О., Грасси Р. и Лоу Т.Электрический контроль экситонов в гетероструктурах Ван-дер-Ваальса с перестройкой зон второго рода. Phys. Ред. B 98 , 121302 (2018).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 72.

    Чавес, А. Дж., Рибейро, Р. М., Фредерико, Т. и Перес, Н. М. Р. Экситонные эффекты в оптических свойствах двумерных материалов: подход уравнения движения. 2D Mater. 4 , 025086 (2017).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 73.

    Nayak, K. et al. Исследование эволюции межслоевых экситонов, зависящих от угла закрутки, в ван-дер-ваальсовых гетероструктурах MoSe 2 / WSe 2 . ACS Nano 11 , 4041–4050 (2017).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 74.

    Yu, Y. et al. Не менее эффективная межслойная релаксация экситонов и улучшенное поглощение в эпитаксиальных и неэпитаксиальных гетероструктурах MoS 2 / WS 2 . Nano Lett. 15 , 486–491 (2015).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 75.

    Hanbicki, A. T. et al. Двойной непрямой межслойный экситон в ван-дер-ваальсовой гетероструктуре MoSe 2 / WSe 2 . ACS Nano 12 , 4719–4726 (2018).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 76.

    Чиаррокки, А.и другие. Переключение поляризации и электрическое управление межслойными экситонами в двумерных ван-дер-ваальсовых гетероструктурах. Нат. Фотоника 13 , 131 (2019).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 77.

    Miller, B. et al. Долгоживущие прямые и непрямые межслоевые экситоны в ван-дер-ваальсовых гетероструктурах. Nano Lett. 17 , 5229–5237 (2017).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 78.

    Kunstmann, J. et al. Непрямые межслоевые экситоны в импульсном пространстве в ван-дер-ваальсовых гетероструктурах из дихалькогенидов переходных металлов. Нат. Phys. 14 , 801 (2018).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 79.

    Zhang, N. et al. А. Кастелланос-Гомес и Плохокка, Внутрислойные экситоны муара в гетероструктуре MoSe 2 / MoS 2 . Nano Lett. 18 , 7651–7657 (2018).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 80.

    Mouri, S. et al. Термическая диссоциация межслойных экситонов в гетеробислоях MoS 2 / MoSe 2 . Наноразмер 9 , 6674–6679 (2017).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 81.

    Fang, H. et al. Сильная межслойная связь в гетероструктурах Ван-дер-Ваальса, построенных из однослойных халькогенидов. Proc. Natl. Акад. Sci. США 111 , 6198–6202 (2014).

  • 82.

    Seyler, K. L. et al. Сигнатуры долинных экситонов, захваченных муаром, в гетерослоях MoSe 2 / WSe 2 . Природа 567 , 66 (2019).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 83.

    Nagler, G. et al. Межслойная экситонная динамика в однослойной дихалькогенидной гетероструктуре. 2D Mater. 4 , 025112 (2017).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 84.

    Calman, E. et al. Непрямые экситоны в гетероструктурах Ван-дер-Ваальса при комнатной температуре. Нат. Commun. 9 , 1895 (2018).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 85.

    Kozawa, D. et al. Свидетельства быстрого межслоевого переноса энергии в гетероструктурах MoSe 2 / WS 2 . Nano Lett. 16 , 4087–4093 (2016).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 86.

    Ceballos, F., Bellus, M. Z., Chiu, H.-Y. И Чжао Х. Исследование экситонов с переносом заряда в ван-дер-ваальсовой гетероструктуре MoSe 2 -WS 2 . Наноразмер 7 , 17523–17528 (2015).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 87.

    Беллус, М. З., Себальос, Ф., Чиу, Х.-Й. & Чжао, Х. Плотно связанные трионы в дихалькогенидных гетероструктурах переходных металлов. ACS Nano 9 , 6459–6464 (2015).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 88.

    Тайгесен, К. С. Расчет экситонов, плазмонов и квазичастиц в 2D-материалах и ван-дер-ваальсовых гетероструктурах. 2D Mater. 4 , 022004 (2017).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 89.

    Кавальканте, Л., Чавес, А., Ван Дуппен, Б., Петерс, Ф., Райхман, Д. Электростатика электронно-дырочных взаимодействий в гетероструктурах Ван-дер-Ваальса. Phys. Ред. B 97 , 125427 (2018).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 90.

    Гао, С., Янг, Л. и Спатару, С. Д. Межслойное взаимодействие и настраиваемые затвором экситоны в гетероструктурах из дихалькогенидов переходных металлов. Nano Lett. 17 , 7809–7813 (2017).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 91.

    Huang, Z. et al. Устойчивый эффект долины холла межслоевых экситонов при комнатной температуре. Nano Lett. 20 , 1345–1351 (2019).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 92.

    Binder, J. et al. Электролюминесценция, преобразованная с повышением частоты за счет оже-рассеяния межслоевых экситонов в ван-дер-ваальсовых гетероструктурах. Нат. Commun. 10 , 2335 (2019).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 93.

    Озчелик В. О., Фати М., Азадани Дж. Г. и Лоу Т. Монохалькогенидные гетероструктуры олова как механически жесткие полупроводники с инфракрасной запрещенной зоной. Phys. Rev. Mater. 2 , 051003 (2018).

    Артикул

    Google ученый

  • 94.

    Тиан, З., Го, К., Чжао, М., Ли, Р. и Сюэ, Дж. Двумерный SnS: аналог фосфора с сильной электронной анизотропией в плоскости. ACS Nano 11 , 2219–2226 (2017).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 95.

    Хуанг, Л., Ву, Ф. и Ли, Дж. Структурная анизотропия приводит к регулируемым деформацией электронным и оптическим свойствам монослоя gex и snx (x = s, se, te). J. Chem. Phys. 144 , 114708 (2016).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 96.

    Са, Б., Сан, З. и Ву, Б. Разработка двумерных халькогенидов группы iv, блоков для гетероструктур Ван-дер-Ваальса. Наноразмер 8 , 1169–1178 (2016).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 97.

    Brent, J. R. et al. Нанолисты сульфида олова (II) (SnS) путем жидкофазного расслоения герценбергита: двумерные атомные кристаллы основной группы IV-VI. J. Am. Chem. Soc. 137 , 12689–12696 (2015).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 98.

    Патель, М., Ким, Дж. И Ким, Ю. К. Выращивание SnS-пленок большой площади с ориентированными 2D-слоями SnS для энергоэффективной широкополосной оптоэлектроники. Adv. Функц. Матер. 28 , 1804737 (2018).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 99.

    Sun, H., Wang, Z. & Wang, Y. Выравнивание полос двумерных монохалькогенидов металлов MX (M = Ga, In; X = S, Se, Te). AIP Adv. 7 , 095120 (2017).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 100.

    МакДоннелл, С., Адду, Р., Буйе, К., Уоллес, Р. М. и Хинкль, К. Л. Легирование с преобладанием дефектов и контактное сопротивление в MoS 2 . ACS Nano 8 , 2880–2888 (2014).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 101.

    Addou, R. et al. Примеси и вариации электронных свойств естественных поверхностей кристаллов MoS 2 . ACS Nano 9 , 9124–9133 (2015).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 102.

    Shim, J. et al. Контролируемое распространение трещин для высокоточной обработки двумерных материалов в масштабе пластины. Наука 362 , 665–670 (2018).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 103.

    Gong, C. et al. Быстрое селективное травление остатков ПММА из перенесенного графена диоксидом углерода. J. Phys. Chem. C 117 , 23000–23008 (2013).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 104.

    Eichfeld, S. M. et al. Высоко масштабируемый атомарно тонкий WSe 2 , выращенный методом химического осаждения из газовой фазы. ACS Nano 9 , 2080–2087 (2015).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 105.

    Эйхфельд, С. М., Колон, В. О., Ни, Й., Чо, К. и Робинсон, Дж. А. Управление зародышеобразованием монослоя WSe 2 во время роста металлорганического химического осаждения из паровой фазы. 2D Mater. 3 , 025015 (2016).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 106.

    Kang, K. et al. Высокоподвижные полупроводниковые пленки толщиной три атома с однородностью на уровне пластины. Природа 520 , 656 (2015).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 107.

    Линь, Ю.-К. и другие. Реализация крупномасштабных двумерных полупроводников электронного уровня. ACS Nano 12 , 965–975 (2018).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 108.

    Huo, N. et al. Высокая подвижность носителей в однослойном cvd-выращенном MoS 2 за счет подавления фононов. Наноразмер 10 , 15071–15077 (2018).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 109.

    Chen, W. et al. Выращивание крупных монокристаллов и высококачественного монослоя MoS с помощью химического осаждения из газовой фазы с помощью кислорода. 2 . J. Am. Chem. Soc. 137 , 15632–15635 (2015).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 110.

    Amani, M. et al. Электрические характеристики однослойных полевых транзисторов MoS 2 , полученных методом химического осаждения из газовой фазы. Прил. Phys. Lett. 102 , 1

    (2013).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 111.

    Schmidt, H. et al. Транспортные свойства монослоя MoS 2 , выращенного методом химического осаждения из газовой фазы. Nano Lett. 14 , 1909–1913 (2014).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 112.

    Гонг Ю., Чжан Х., Редвинг Дж.М. и Джексон, Т. Н. Тонкопленочные транзисторы на основе низкотемпературных пластин mocvd WSe 2 . J. Electron. Матер. 45 , 6280–6284 (2016).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 113.

    Huang, J.-K. и другие. Синтез высококристаллических монослоев WSe 2 на большой площади и применение в устройствах. ACS Nano 8 , 923–930 (2013).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 114.

    Huang, J. et al. Синтез большой площади монослоя WSe 2 на подложке SiO 2 / Si и его применение в устройствах. Наноразмер 7 , 4193–4198 (2015).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 115.

    Zhang, C. et al. Межслоевые связи, муаровые структуры и двумерные электронные сверхрешетки в гетеродислоях MoS 2 / WSe 2 . Sci. Adv. 3 , e1601459 (2017).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 116.

    Линь, Ю.-К. и другие. Атомно-тонкие резонансные туннельные диоды, построенные на основе синтетических гетероструктур Ван-дер-Ваальса. Нат. Commun. 6 , 7311 (2015).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 117.

    Gong, Y. et al. Двухступенчатый рост двумерных гетероструктур WSe 2 / MoSe 2 . Nano Lett. 15 , 6135–6141 (2015).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 118.

    Lee, C.-S. и другие. Эпитаксиальные ван-дер-ваальсовые контакты между монослойными полиморфными модификациями дихалькогенидов переходных металлов. Nano Lett. 19 , 1814–1820 (2019).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 119.

    Li, X. et al. Двумерный газ / MoSe 2 двухслойные гетеропереходы несоответствия методом ван-дер-ваальсовой эпитаксии. Sci. Adv. 2 , e1501882 (2016).

    Артикул

    Google ученый

  • 120.

    Zribi, J. et al. Сильная межслойная гибридизация в выровненной гетеродислойной структуре SnS 2 / WSe 2 . npj 2D Mater. Прил. 3 , 27 (2019).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 121.

    Ан, В., Иртегов, Ю. и Изарра, К.D. Исследование трибологических свойств наноламеллярных WS 2 и MoS 2 в качестве присадок к смазочным материалам. J. Nanomater. 2014 , 188 (2014).

    Google ученый

  • 122.

    Кома А., Сунучи К. и Миядзима Т. Изготовление и определение характеристик гетероструктур субнанометрической толщины. Microelectron. Англ. 2 , 129–136 (1984).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 123.

    Аминалрагия-Джамини, С., Маркес-Веласко, Дж., Ципас, П., Цутсу, Д. и Рено, Г. Молекулярно-лучевая эпитаксия тонких полуметаллических пленок HfTe 2 . 2D Mater. 4 , 015001 (2016).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 124.

    Liu, H. et al. Молекулярно-лучевая эпитаксия монослоя и бислоя WSe 2 : исследование с помощью сканирующей туннельной микроскопии / спектроскопии и определение энергии связи экситона. 2D Mater. 2 , 034004 (2015).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 125.

    Diaz, HC, Chaghi, R., Ma, Y. & Batzill, M. Молекулярно-лучевая эпитаксия ван-дер-ваальсовой гетероструктуры MoTe 2 на MoS 2 : фазовая, термическая и химическая стабильность . 2D Mater. 2 , 044010 (2015).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 126.

    Park, Y. W. et al. Молекулярно-лучевая эпитаксия SnSe большой площади 2 с флуктуацией толщины монослоя. 2D Mater. 4 , 014006 (2016).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 127.

    Yan, M. et al. Высококачественные атомарно тонкие пленки ptse2, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии. 2D Mater. 4 , 045015 (2017).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 128.

    Xenogiannopoulou, E. et al. Высококачественные гетероструктуры большой площади MoSe 2 и MoSe 2 / Bi 2 Se 3 на подложках AlN (0001) / Si (111) методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Наноразмер 7 , 7896–7905 (2015).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 129.

    Zhang, Y. et al. Электронная структура, поверхностное легирование и оптический отклик в эпитаксиальных тонких пленках WSe 2 . Nano Lett. 16 , 2485–2491 (2016).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 130.

    O’Hara, D. J. et al. Собственный ферромагнетизм при комнатной температуре в эпитаксиальных пленках селенида марганца в монослойном пределе. Nano Lett. 18 , 3125–3131 (2018).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 131.

    Bonilla, M. et al.Сильный ферромагнетизм при комнатной температуре в монослоях vse 2 на ван-дер-ваальсовых подложках. Нат. Nanotechnol. 13 , 289 (2018).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 132.

    Yue, R. et al. Тонкие пленки HfSe 2 : двумерные дихалькогениды переходных металлов, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии. ACS Nano 9 , 474–480 (2014).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 133.

    Vishwanath, S. et al. Подробные структурные и оптические характеристики выращенного MoSe 2 на графите, caf 2 и графене. 2D Mater. 2 , 024007 (2015).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 134.

    Chen, J. et al. Квантовые эффекты и перестройка фазы в эпитаксиальных гексагональных и моноклинных монослоях MoTe 2 . ACS Nano 11 , 3282–3288 (2017).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 135.

    Walsh, L.A. et al. WTe 2 тонких пленок, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с прерыванием пучка. 2D Mater. 4 , 025044 (2017).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 136.

    Li, H. et al. Выращивание нанолистов из сплава MoS 2 x Se 2 (1- x ) с полностью настраиваемым химическим составом и оптическими свойствами. J. Am. Chem. Soc. 136 , 3756–3759 (2014).

  • 137.

    Gong, Y. et al. Инженерия запрещенной зоны и послойное картирование дисульфида молибдена, легированного селеном. Nano Lett. 14 , 442–449 (2013).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 138.

    Feng, Q. et al. Выращивание 2D MoS большой площади 2 (1- x ) Se 2 x полупроводниковых сплавов. Adv. Матер. 26 , 2648–2653 (2014).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 139.

    Zhang, M. et al. Двумерные сплавы диселенида молибдена и вольфрама: фотолюминесценция, рамановское рассеяние и электрический транспорт. ACS Nano 8 , 7130–7137 (2014).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 140.

    Ю. Дж.и другие. Фазовый переход металл-полупроводник в монослое WSe 2 (1- x ) Te 2 x . Adv. Матер. 29 , 1603991 (2017).

  • 141.

    Barton, A. et al. Сплавы WSe 2- x te x , выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии. 2D Mater. (2019).

  • 142.

    Nie, Y. et al. Спиральный и неспиральный рост, управляемый дислокациями, в слоистых халькогенидах. Наноразмер 10 , 15023–15034 (2018).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 143.

    Уолш, Л. А., Адду, Р., Уоллес, Р. М., Хинкль, К. Л. Молекулярно-лучевая эпитаксия дихалькогенидов переходных металлов. В Mohamed H. (ed.), Molecular Beam Epitaxy . 515–531 (Elsevier, 2018).

  • 144.

    Уолш, Л. А. и Хинкль, К. Л. Ван-дер-Ваальсовая эпитаксия: 2D материалы и топологические изоляторы. Прил. Матер. Сегодня 9 , 504–515 (2017).

    Артикул

    Google ученый

  • 145.

    Peng, R. et al. Электрооптическая модуляция в среднем инфракрасном диапазоне в малослойном черном фосфоре. Nano Lett. 17 , 6315–6320 (2017).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 146.

    Перейра, Дж. М., Кацнельсон, М. И. Уровни Ландау однослойного и двухслойного фосфора. Phys. Ред. B 92 , 075437 (2015).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 147.

    Лин, К., Грасси, Р., Лоу, Т. и Хелми, А.С. Многослойный черный фосфор как универсальный электрооптический материал среднего инфракрасного диапазона. Nano Lett. 16 , 1683–1689 (2016).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 148.

    Лю, X. и Янг, Л. Эффект Штарка легированных двумерных дихалькогенидов переходных металлов. Прил. Phys. Lett. 111 , 1

    (2017).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 149.

    Scharf, B. et al. Экситонный штарк-эффект в монослоях MoS2. Phys. Ред. B 94 , 245434 (2016).

    Артикул

    Google ученый

  • 150.

    Кавальканте, Л. С. Р., да Коста, Д. Р., Фариас, Г. А., Райхман, Д. Р. и Чавес, А.Штарковский сдвиг экситонов и трионов в двумерных материалах. Phys. Ред. B 98 , 245309 (2018).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 151.

    Massicotte, M. et al. Диссоциация двумерных экситонов в монослое WSe 2 . Нат. Commun. 9 , 1633 (2018).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 152.

    Dolui, K. & Quek, S. Y. Квантовое ограничение и структурная анизотропия приводят к электрически регулируемому дираковому конусу в многослойном черном фосфоре. Sci. Отчет 5 , 11699 (2015).

    Артикул

    Google ученый

  • 153.

    Байк С.С., Ким К.С., Йи, Й. и Чой, Х. Дж. Появление двумерных безмассовых дираковых фермионов, хиральных псевдоспинов и фазы ягод в легированном калием многослойном черном фосфоре. Nano Lett. 15 , 7788–7793 (2015).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 154.

    Li, L., Partoens, B. & Peeters, F. Настройка электронных свойств закрытого многослойного фосфора: исследование самосогласованного прочного связывания. Phys. Ред. B 97 , 155424 (2018).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 155.

    Ким, Дж.и другие. Наблюдение перестраиваемой запрещенной зоны и анизотропного состояния полуметалла дирака в черном фосфоре. Наука 349 , 723–726 (2015).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 156.

    Янг, Л., Лин, Ю.-М., Цай, В. и Пейде, Д. Ю. Экспериментальная демонстрация электрически настраиваемой запрещенной зоны на двумерном черном фосфоре с помощью квантово-ограниченного штарк-эффекта. В 2017 Симпозиум по технологии СБИС . T48 – T49 (Организаторы / Председатели: С.Ямакава, В. Рахмади и Ч.-П. Чанг, IEEE, 2017).

  • 157.

    Liu, Y. et al. Гигантский резкий эффект с настройкой гейта в многослойном черном фосфоре. Nano Lett. 17 , 1970–1977 (2017).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 158.

    де Соуза, Д., Кавальканте, Л., Чавес, А., Перейра-младший, Дж. М. и Лоу, Т. Плазмоны в индуцированном смещением топологическом фазовом переходе в черном фосфоре. Препринт по адресу https: // arxiv.org / abs / 1808.08869 (2018).

  • 159.

    Kang, M. et al. Универсальный механизм создания запрещенной зоны в дихалькогенидах переходных металлов. Nano Lett. 17 , 1610–1615 (2017).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 160.

    Long, G. et al. Достижение сверхвысокой подвижности носителей в двумерном дырочном газе черного фосфора. Nano Lett. 16 , 7768–7773 (2016).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 161.

    Руденко А., Бренер С. и Кацнельсон М. Собственная подвижность носителей заряда в однослойном черном фосфоре. Phys. Rev. Lett. 116 , 246401 (2016).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 162.

    Deng, B. et al. Эффективный электрический контроль ширины запрещенной зоны тонкопленочного черного фосфора. Нат. Commun. 8 , 14474 (2017).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 163.

    Li, D. et al. Регулируемая запрещенная зона в многослойном черном фосфоре электрическим полем. 2D Mater. 4 , 031009 (2017).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 164.

    Chakraborty, C. et al. Квантово-ограниченный абсолютный эффект отдельных дефектов в ван-дер-ваальсовой гетероструктуре. Nano Lett. 17 , 2253–2258 (2017).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 165.

    Мартин-Санчес, J. et al. Влияние диэлектрической стехиометрии на фотолюминесцентные свойства инкапсулированных монослоев WSe 2 . Nano Res. 11 , 1399–1414 (2018).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 166.

    Raja, A. et al. Кулоновская инженерия запрещенной зоны и экситонов в двумерных материалах. Нат. Commun. 8 , 15251 (2017).

    Артикул

    Google ученый

  • 167.

    Borghardt, S. et al. Инженерия оптических и электронных запрещенных зон в монослоях дихалькогенидов переходных металлов посредством внешнего диэлектрического экранирования. Phys. Rev. Mater. 1 , 054001 (2017).

    Артикул

    Google ученый

  • 168.

    Florian, M. et al. Диэлектрическое влияние расстояний между слоями на энергии связи экситонов и трионов в ван-дер-ваальсовых гетероструктурах. Nano Lett. 18 , 2725–2732 (2018).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 169.

    Merkl, Steinleitner. и другие. Диэлектрическая инженерия электронных корреляций в гетероструктуре Ван-дер-Ваальса. Nano Lett. 18 , 1402–1409 (2018).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 170.

    Drüppel, M., Deilmann, T., Krüger, P. & Rohlfing, M. Разнообразие трионных состояний и эффекты подложки в оптических свойствах монослоя MoS 2 . Нат. Commun. 8 , 2117 (2017).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 171.

    Стир А. В., Уилсон Н. П., Кларк Г., Сюй Х. и Крукер С. А. Исследование влияния диэлектрической среды на экситоны в монослое WSe 2 : понимание сильных магнитных полей. Nano Lett. 16 , 7054–7060 (2016).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 172.

    Ryou, J., Kim, Y.-S., Santosh, K. & Cho, K. Монослойная модуляция запрещенной зоны MoS 2 диэлектрической средой и настраиваемыми запрещенными транзисторами. Sci. Отчет 6 , 29184 (2016).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 173.

    Цю, Д. Ю., да Хорнада, Ф. Х. и Луи, С. Г. Эффекты экранирования окружающей среды в 2D-материалах: перенормировка ширины запрещенной зоны, электронной структуры и оптических спектров многослойного черного фосфора. Nano Lett. 17 , 4706–4712 (2017).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 174.

    Гербер И. К. и Мари X. Зависимость зонной структуры и экситонных свойств инкапсулированных монослоев WSe 2 от толщины слоя hbn. Phys. Ред. B 98 , 245126 (2018).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 175.

    Найк, М. Х. и Джейн, М. Эффекты экранирования подложки на квазичастичную запрещенную зону и уровни дефектных переходов заряда в MoS 2 . Phys. Rev. Mater. 2 , 084002 (2018).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 176.

    Park, S. et al. Прямое определение энергий связи монослоя экситонов MoS 2 и WSe 2 на диэлектрических и металлических подложках. 2D Mater. 5 , 025003 (2018).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 177.

    Ugeda, M. M. et al. Гигантская перенормировка запрещенной зоны и экситонные эффекты в однослойном дихалькогенидном полупроводнике переходного металла. Нат. Матер. 13 , 1091 (2014).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 178.

    Hanbicki, A., Currie, M., Kioseoglou, G., Фридман А. и Джонкер Б. Измерение высокой энергии связи экситона в однослойных дихалькогенидах переходных металлов WS 2 и WSe 2 . Solid State Commun. 203 , 16–20 (2015).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 179.

    Lin, Y. et al. Диэлектрическое экранирование экситонов и трионов в однослойном MoS 2 . Nano Lett. 14 , 5569–5576 (2014).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 180.

    Stier, A. V. et al. Магнитооптика экситонных ридберговских состояний в монослойном полупроводнике. Phys. Rev. Lett. 120 , 057405 (2018).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 181.

    Yang, J. et al. Оптическая перестройка экситонной и трионной эмиссии в монослойном фосфорене. Light 4 , e312 (2015).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 182.

    Рытова Н.С. Экранированный потенциал точечного заряда в тонкой пленке. Proc. МГУ, Phys., Astron. 3 , 30 (1967). Препринт на https://arxiv.org/abs/1806.00976 (2018).

  • 183.

    Келдыш Л. Кулоновское взаимодействие в тонких полупроводниковых и полуметаллических пленках. Сов. J. Exp. Теор. Phys. Lett. 29 , 658 (1979).

    Google ученый

  • 184.

    Родин А., Карвалью А. и Нето А. С. Экситоны в анизотропных двумерных полупроводниковых кристаллах. Phys. Ред. B 90 , 075429 (2014).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 185.

    Беркельбах Т. К., Хибертсен М. С. и Райхман Д. Р. Теория нейтральных и заряженных экситонов в монослойных дихалькогенидах переходных металлов. Phys. Ред. B 88 , 045318 (2013).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 186.

    Yu, Y. et al. Инженерные взаимодействия подложек для высокой эффективности люминесценции монослоев дихалькогенидов переходных металлов. Adv. Функц. Матер. 26 , 4733–4739 (2016).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 187.

    Черников А.А. и др. Энергия связи экситона и неводородный ряд Ридберга в монослое WS 2 . Phys. Rev. Lett. 113 , 076802 (2014).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 188.

    Ся, Ф., Ван, Х. и Цзя, Ю. Новое открытие черного фосфора как анизотропного слоистого материала для оптоэлектроники и электроники. Нат. Commun. 5 , 4458 (2014).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 189.

    Линдберг М. и Кох С. В. Эффективные уравнения Блоха для полупроводников. Phys. Ред. B 38 , 3342–3350 (1988).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 190.

    Berghäuser, G. & Malic, E. Аналитический подход к экситонным свойствам m o s 2 . Phys. Ред. B 89 , 125309 (2014).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 191.

    Henriques, J.C.G. et al. Оптическое поглощение однослойного гексагонального нитрида бора в ультрафиолете. J. Phys .: Condens. Иметь значение. 32 , 025304 (2020).

    CAS

    Google ученый

  • 192.

    Комса, Х.-П. & Крашенинников, А.В. Влияние ограничения и окружающей среды на электронную структуру и энергию связи экситона m o s 2 из первых принципов. Phys. Ред. B 86 , 241201 (2012).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 193.

    Ye, Z. et al. Исследование темных состояний экситонов в однослойном дисульфиде вольфрама. Природа 513 , 214 (2014).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 194.

    Sun, Y., Thompson, S.E. И Нишида Т. Эффект деформации в полупроводниках: теория и приложения . (Springer Science & Business Media, 2009).

  • 195.

    Ni, Z. H. et al. Одноосная деформация графена: исследование спектроскопии комбинационного рассеяния и раскрытие запрещенной зоны. САУ Нано 2 , 2301–2305 (2008).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 196.

    Sun, L. et al. Влияние деформации на электронные структуры графеновых нанолент: исследование из первых принципов. J. Chem. Phys. 129 , 074704 (2008).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 197.

    Гвинея, Ф., Кацнельсон, М. и Гейм, А.Энергетические щели и квантовый эффект Холла в нулевом поле в графене методом деформации. Нат. Phys. 6 , 30 (2010).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 198.

    Си, К., Сан, З. и Лю, Ф. Деформационная инженерия графена: обзор. в наномасштабе 8 , 3207–3217 (2016).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 199.

    Фэн, Дж., Цянь, X., Хуан, К.-В. & Ли, Дж. Искусственный атом, созданный методом деформации, как воронка солнечной энергии широкого спектра действия. Нат. Фотоника 6 , 866 (2012).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 200.

    Ван Дер Занде, А. и Хоун, Дж. Оптические материалы: навеяны деформациями. Нат. Фотоника 6 , 804 (2012).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 201.

    Сан-Хосе, В., Паренте, Ф., Гвинея, Р., Ролдан, П., Прада, Э. Эффект обратной воронки экситонов в напряженном черном фосфоре. Phys. Ред. X 6 , 031046 (2016).

    Google ученый

  • 202.

    Рольдан, Р., Кастелланос-Гомес, А., Каппеллути, Э. и Гвинея, Ф. Инженерия деформаций в полупроводниковых двумерных кристаллах. J. Phys. 27 , 313201 (2015).

    Google ученый

  • 203.

    Hui, Y. Y. et al. Исключительная настраиваемость полосовой энергии в трехслойном листе MoS 2 , деформированном сжатием. САУ Нано 7 , 7126–7131 (2013).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 204.

    He, K., Poole, C., Mak, K. F. и Shan, J. Экспериментальная демонстрация непрерывной перестройки электронной структуры посредством деформации в атомарно тонком MoS 2 . Nano Lett. 13 , 2931–2936 (2013).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 205.

    Lloyd, D. et al. Инженерия запрещенной зоны со сверхбольшими двухосными деформациями в подвешенном монослое MoS 2 . Nano Lett. 16 , 5836–5841 (2016).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 206.

    Фейерабенд М., Морле А., Бергхойзер Г. и Малик Э. Влияние деформации на оптический отпечаток однослойных дихалькогенидов переходных металлов. Phys. Ред. B 96 , 045425 (2017).

    Артикул

    Google ученый

  • 207.

    Конли, Х. Дж., Ван, Б., Циглер, Дж. И., Хаглунд, Р. Ф., Пантелидес, С. Т., Болотин, К. И. Конструирование запрещенной зоны напряженного монослоя и бислоя MoS 2 . Nano Lett. 13 , 3626–3630 (2013).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 208.

    Zhu, C. et al. Деформационная перестройка энергии и поляризации оптического излучения в монослое и бислое MoS 2 . Phys. Ред. B 88 , 121301 (2013).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 209.

    Island, J. O. et al. Точная и обратимая настройка запрещенной зоны в однослойном MoSe 2 путем одноосной деформации. Наноразмер 8 , 2589–2593 (2016).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 210.

    Schmidt, R. et al. Обратимая настройка одноосной деформации в атомарно тонком WSe 2 . 2D Mater. 3 , 021011 (2016).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 211.

    Niehues, I. et al. Деформационный контроль экситон-фононной связи в атомарно тонких полупроводниках. Nano Lett. 18 , 1751–1757 (2018).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 212.

    Frisenda, R. et al. Регулировка оптических свойств однослойных дихалькогенидов переходных металлов с помощью биаксиальной деформации. npj 2D Mater. Прил. 1 , 10 (2017).

    Артикул

    Google ученый

  • 213.

    Аслан О. Б., Дэн М. и Хайнц Т. Ф. Деформационная настройка экситонов в монослое WSe 2 . Phys. Ред. B 98 , 115308 (2018).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 214.

    Huang, S. et al. Регулируемые деформацией ван-дер-ваальсовы взаимодействия в многослойном черном фосфоре. Нат. Commun. 10 , 2447 (2019).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 215.

    Niehues, I., Blob, A., Stiehm, T., de Vasconcellos, S.M. & Bratschitsch, R. Межслойные экситоны в двухслойном MoS 2 при одноосной деформации растяжения. Наноразмер 11 , 12788–12792 (2019).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 216.

    Каррасосо Ф., Лин Д.-Й., Фрисенда Р. и Кастелланос-Гомес А. Настройка двухосной деформации межслоевых экситонов в двухслойном MoS 2 . J. Phys. Матер. 3 , 015003 (2020).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 217.

    Гант П., Хуанг П., де Лара Д. П., Го Д. и Фрисенда Р. Однослойный фотоприемник MoS 2 с перестраиваемой деформацией. Материалы сегодня 27 , 8–13 (2019).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 218.

    Tong, L. et al. Искусственный контроль плоского анизотропного фотоэлектричества в монослое MoS 2 . Прил. Матер. Сегодня 15 , 203–211 (2019).

    Артикул

    Google ученый

  • 219.

    Yang, S. et al. Настройка оптических, магнитных и электрических свойств ReSe 2 с помощью инженерии деформации на нанометровом уровне. Nano Lett. 15 , 1660–1666 (2015).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 220.

    Quereda, J. et al. Кастелланос-Гомес, Сильная модуляция оптических свойств в черном фосфоре за счет деформационной ряби. Nano Lett. 16 , 2931–2937 (2016).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 221.

    Li, H.и другие. Оптоэлектронный кристалл искусственных атомов в деформированном дисульфиде молибдена. Нат. Commun. 6 , 7381 (2015).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 222.

    Бранни, А., Кумар, С., Про, Р., Жерардо, Б. Д. Детерминированные массивы квантовых излучателей, индуцированные деформацией, в двумерном полупроводнике. Нат. Commun. 8 , 15053 (2017).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 223.

    Palacios-Berraquero, C. et al. Крупномасштабные массивы квантовых эмиттеров в атомарно тонких полупроводниках. Нат. Commun. 8 , 15093 (2017).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 224.

    Castellanos-Gomez, A. et al. Инженерия локальной деформации в атомарно тонком MoS 2 . Nano Lett. 13 , 5361–5366 (2013).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 225.

    Де Санктис, А., Амит, И., Хепплстоун, С. П., Крациун, М. Ф. и Руссо, С. Построенная методом деформации обратная воронка заряда в слоистых полупроводниках. Нат. Commun. 9 , 1652 (2018).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 226.

    Манзели С., Аллен А., Гадими А. и Кис А. Настройка пьезорезистивности и деформации запрещенной зоны в атомарно тонком MoS 2 . Nano Lett. 15 , 5330–5335 (2015).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 227.

    Бенимецкий Ф. и др. Измерение локальных оптомеханических свойств двумерного полупроводника с прямой запрещенной зоной. APL Materials 7 , 101126 (2019).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 228.

    Rosenberger, M. R. et al. Квантовая каллиграфия: создание однофотонных излучателей на платформе двумерных материалов. ACS Nano 13 , 904–912 (2019).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 229.

    Li, M.-Y. и другие. Эпитаксиальный рост монослоя wse2-mos2 латерального pn перехода с атомарно острой границей раздела. Наука 349 , 524–528 (2015).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 230.

    Рубель О. Одномерный электронный газ в напряженных боковых гетероструктурах из однослойных материалов. Sci. Отчет 7 , 1–9 (2017).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 231.

    Авалос-Овандо, О., Мастрогиузеппе, Д. и Уллоа, С. Е. Боковые гетероструктуры и одномерные границы раздела в двумерных дихалькогенидах переходных металлов. J. Phys. 31 , 213001 (2019).

    Google ученый

  • 232.

    Li, M.-Y., Chen, C.-H., Ши, Ю. и Ли, Л.-Дж. Гетероструктуры на основе двумерных слоистых материалов и возможности их применения. Mater. Сегодня 19 , 322–335 (2016).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 233.

    Хуанг, Т., Вэй, В., Чен, X. и Дай, Н. Деформированные 2D слоистые материалы и гетеропереходы. Ann. Phys. 531 , 1800465 (2019).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 234.

    Тагинеджад, Х., Эфтехар, А., Адиби, А. Боковые и вертикальные гетероструктуры в двумерных дихалькогенидах переходных металлов. Опт. Матер. Экспресс 9 , 1590–1607 (2019).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 235.

    Gong, Y. et al. Пространственно контролируемое легирование двумерного SnS 2 путем интеркаляции для электроники. Нат. Nanotechnol. 13 , 294 (2018).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 236.

    Wan, C. et al. Гибкие термоэлектрические материалы n-типа путем органической интеркаляции слоистого дихалькогенида переходного металла TiS 2 . Нат. Матер. 14 , 622 (2015).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 237.

    Wang, C. et al. Однослойные атомно-кристаллические молекулярные сверхрешетки. Природа 555 , 231 (2018).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 238.

    Fang, H. et al. Высокопроизводительные однослойные полевые транзисторы WSe 2 p-FET с химически легированными контактами. Nano Lett. 12 , 3788–3792 (2012).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 239.

    He, D. et al. Высокопроизводительные полевые транзисторы с черным фосфором и долговременной стабильностью на воздухе. Nano Lett. 19 , 331–337 (2018).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 240.

    Mouri, S., Miyauchi, Y. & Matsuda, K. Настраиваемая фотолюминесценция монослоя MoS 2 посредством химического легирования. Nano Lett. 13 , 5944–5948 (2013).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 241.

    Fang, H. et al. Вырожденное легирование калием многослойных дихалькогенидов переходных металлов n-типа. Nano Lett. 13 , 1991–1995 (2013).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 242.

    Yang, L. et al. Методика хлоридного молекулярного легирования 2D-материалов: WS 2 и MoS 2 . Nano Lett. 14 , 6275–6280 (2014).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 243.

    Amani, M. et al. Квантовый выход фотолюминесценции в MoS 2 , близкий к единице. Наука 350 , 1065–1068 (2015).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 244.

    Ду, Й., Янг, Л., Чжоу, Х. и Пейде, Д. Ю. Повышение характеристик полевых транзисторов с черным фосфором путем химического легирования. IEEE Electron Device Lett. 37 , 429–432 (2016).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 245.

    Комса, Х.-П. & Крашенинников, А.В. Двумерные дихалькогенидные сплавы переходных металлов: стабильность и электронные свойства. J. Phys. Chem. Lett. 3 , 3652–3656 (2012).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 246.

    Chen, Y. et al. Перестраиваемая запрещенная зона фотолюминесценции из атомно-тонких дихалькогенидных сплавов переходных металлов. Acs Nano 7 , 4610–4616 (2013).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 247.

    Tongay, S. et al. Двумерные полупроводниковые сплавы: однослойный Mo 1- x W x Se 2 . Прил. Phys. Lett. 104 , 012101 (2014).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 248.

    Mann, J. et al. Двумерные дихалькогениды переходных металлов с регулируемой прямой запрещенной зоной: MoS 2 (1- x ) Se 2 x монослоя. Adv. Матер. 26 , 1399–1404 (2014).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 249.

    Dumcenco, D., Chen, K., Wang, Y., Huang, Y. & Tiong, K. Рамановское исследование 2H-Mo 1- x W x S 2 слоистых смешанных кристалла. J. Alloy. Compd. 506 , 940–943 (2010).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 250.

    Feng, Q. et al. Выращивание однослойных сплавов MoS 2 (1- x ) Se 2 x (x = 0,41-1,00) с контролируемой морфологией путем физического осаждения из паровой фазы. ACS nano 9 , 7450–7455 (2015).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 251.

    Zhou, J. et al. Библиотека атомарно тонких халькогенидов металлов. Природа 556 , 355 (2018).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 252.

    Канг, Дж., Тонгей, С., Ли, Дж. И Ву, Дж. Однослойные полупроводниковые дихалькогенидные сплавы переходных металлов: стабильность и искривление зон. J. Appl. Phys. 113 , 143703 (2013).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 253.

    Zhang, Z. et al. Проявление неожиданных полупроводниковых свойств в многослойном орторомбическом арсенене. Прил. Phys. Экспресс 8 , 055201 (2015).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 254.

    Liu, B. et al. Черный мышьяк-фосфор: слоистые анизотропные инфракрасные полупроводники с легко настраиваемым составом и свойствами. Adv. Матер. 27 , 4423–4429 (2015).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 255.

    Susarla, S. et al. Четвертичные 2D дихалькогениды переходных металлов (TMD) с регулируемой шириной запрещенной зоны. Adv. Матер. 29 , 1702457 (2017).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 256.

    Сомоано Р., Хадек В. и Рембаум А. Интеркалаты щелочных металлов дисульфида молибдена. J. Chem. Phys. 58 , 697–701 (1973).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 257.

    Вуллам Дж. А. и Сомоано Р. Б. Физика и химия интеркаляционных соединений MoS 2 . Mater. Sci. Англ. 31 , 289–295 (1977).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 258.

    Hughes, H. & Friend, R. Аномалия электрического сопротивления в β -MoTe 2 (поведение металла). J. Phys. С 11 , L103 (1978).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 259.

    Доусон В. и Буллетт Д. Электронная структура и кристаллография MoTe 2 и WTe 2 . J. Phys. С 20 , 6159 (1987).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 260.

    Янг, Х., Ким, С. В., Чховалла, М. и Ли, Ю. Х. Структурные и квантовые фазовые переходы в слоистых материалах Ван-дер-Ваальса. Нат. Phys. 13 , 931 (2017).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 261.

    Li, Y., Duerloo, K.-A. Н., Ваусон, К. и Рид, Э. Дж. Структурный фазовый переход полупроводник-полуметалл в двумерных материалах, индуцированный электростатическим стробированием. Нат.Commun. 7 , 10671 (2016).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 262.

    Гэмбл Ф. Ионность, атомные радиусы и структура слоистых дихалькогенидов переходных металлов IVb, Vb и VIb групп. J. Solid State Chem. 9 , 358–367 (1974).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 263.

    Мадукар А. Структурная классификация слоистых дихалькогенидов переходных металлов iv b, vb и vi b. Solid State Commun. 16 , 383–388 (1975).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 264.

    Cho, S. et al. Фазовая диаграмма для омического гомопереходного контакта в MoTe 2 . Наука 349 , 625–628 (2015).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 265.

    Song, S. et al. Переход полупроводник-металл при комнатной температуре в тонких пленках MoTe 2 , полученных деформацией. Nano Lett. 16 , 188–193 (2015).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 266.

    Kim, S. et al. Дальнейшая решеточная инженерия MoTe 2 с помощью 2D-электрида. Nano Lett. 17 , 3363–3368 (2017).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 267.

    Wang, Y. et al. Структурный фазовый переход в монослое MoTe 2 , вызванный электростатическим легированием. Природа 550 , 487 (2017).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 268.

    Chen, X. et al. Исследование электронных состояний и механизмов перехода металл-диэлектрик в вертикальных гетероструктурах из дисульфида молибдена. Нат. Commun. 6 , 6088 (2015).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 269.

    Moon, B.H. et al.Мягкая кулоновская щель и асимметричное масштабирование в сторону квантовой критичности металл-диэлектрик в многослойном MoS 2 . Нат. Commun. 9 , 2052 (2018).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 270.

    Pradhan, N. R. et al. Квантово-фазовый переход металла в диэлектрик в многослойном ReS 2 . Nano Lett. 15 , 8377–8384 (2015).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 271.

    Радисавлевич, Б. и Кис, А. Инженерия мобильности и переход металл-изолятор в монослое MoS 2 . Нат. Матер. 12 , 815 (2013).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 272.

    Ge, R. et al. Атомристор: переключение энергонезависимого сопротивления в атомарных листах дихалькогенидов переходных металлов. Nano Lett. 18 , 434–441 (2018).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 273.

    Zhu, X., Li, D., Liang, X. & Lu, W. D. Эффекты ионной модуляции и ионной связи в устройствах MoS 2 для нейроморфных вычислений. Нат. Матер. 18 , 141 (2019).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 274.

    Zhang, F. et al. Структурный переход, индуцированный электрическим полем в вертикальных резистивных запоминающих устройствах на основе MoTe 2 и Mo 1- x W x Te 2 . Нат. Матер. 18 , 55 (2019).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 275.

    Chang, K. et al. Открытие устойчивого сегнетоэлектричества в плоскости в снарядах атомной толщины. Наука 353 , 274–278 (2016).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 276.

    Fatemi, V. et al. Электрически перестраиваемая сверхпроводимость низкой плотности в однослойном топологическом изоляторе. Наука 362 , 926–929 (2018).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 277.

    Yue, R. et al. Зарождение и рост WSe 2 : включение крупнозернистых дихалькогенидов переходных металлов. 2D Mater. 4 , 045019 (2017).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 278.

    Zhou, G. et al. Спиральные полевые теллуровые полевые транзисторы с высокой подвижностью, обеспечиваемые прямым выращиванием при низких температурах без переноса. Adv. Матер. 30 , 1803109 (2018).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 279.

    Klots, A. et al. Исследование экситонных состояний в подвешенных двумерных полупроводниках методом спектроскопии фототока. Sci. Отчет 4 , 6608 (2014).

    CAS
    Статья

    Google ученый

  • 280.

    Ross, J. S. et al. Электрический контроль нейтральных и заряженных экситонов в однослойном полупроводнике. Нат. Commun. 4 , 1474 (2013).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 281.

    Zhu, C. et al. Динамика экситонной долины по керровскому вращению в монослоях WSe 2 . Phys. Ред. B 90 , 161302 (2014).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • 282.

    Kormányos, A. et al. k ⋅ p теория для двумерных полупроводников из дихалькогенидов переходных металлов. 2D Mater. 2 , 022001 (2015).

    Артикул
    CAS

    Google ученый

  • О настройке и растянутой октаве яванских гамеланов в JSTOR

    Абстрактный

    Авторы подгоняют пять теоретических моделей к данным частотной шкалы (Гц), сообщенным Сурджодинингратом, Сударджаной и Сусанто на отдельных инструментах на основе их обширных измерений настроек 76 яванских гамеланов.Экспоненциальные модели подходят лучше всего и идеально в случае пентатонических шкал с почти равным интервалом (sléndro) или гептатонических шкал с неравными интервалами (pélog). Кроме того, по сравнению с (предполагаемым) умеренным растяжением западных чешуек, обе яванские шкалы значительно растянуты. Экспоненциальная модель может быть полезна при сравнении сильно изменяющихся настроек гамеланов, при изучении несуществующих или неполных ансамблей, для генерации переменных растяжений для использования в перцептивных и когнитивных исследованиях эстетики гамеланов или для компьютерного моделирования инструментов гамеланов.

    Информация о журнале

    Музыкальный журнал Леонардо (LMJ) — это ежегодный журнал, сопутствующий Леонардо. LMJ посвящен эстетическим и техническим вопросам современной музыки и звукового искусства. В каждом тематическом выпуске представлены художники и писатели со всего мира, представляющие широкий спектр стилистических точек зрения. Каждый том включает в себя последний компакт-диск или мультимедийный компакт-диск из серии компакт-дисков LMJ, увлекательную подборку произведений, выбранных приглашенным куратором и сопровождаемых заметками композиторов и исполнителей.

    Информация об издателе

    Одна из крупнейших университетских издательств в мире, MIT Press издает более 200 новых книг каждый год, а также 30 журналов по искусству и гуманитарным наукам, экономике, международным отношениям, истории, политологии, науке и технологиям, а также по другим дисциплинам. Мы были одними из первых университетских издательств, которые предлагали названия в электронном виде, и мы продолжаем внедрять технологии, которые позволяют нам лучше поддерживать научную миссию и широко распространять наш контент.Энтузиазм прессы к инновациям находит отражение в том, что мы постоянно исследуем этот рубеж. С конца 1960-х годов мы экспериментировали с поколениями электронных издательских инструментов. Благодаря нашей приверженности новым продуктам — будь то электронные журналы или совершенно новые формы коммуникации — мы продолжаем искать наиболее эффективные и действенные средства обслуживания наших читателей. Наши читатели привыкли ожидать превосходства наших продуктов, и они могут рассчитывать на то, что мы сохраним приверженность созданию строгих и инновационных информационных продуктов в любых формах, которые может принести будущее издательского дела.

    Тест Ринне: влияет ли положение камертона на амплитуду звука в ухе? | Journal of Otolaryngology — Head & Neck Surgery

    Результаты опроса по электронной почте показывают, что, несмотря на использование теста Ринне большинством респондентов-отоларингологов, используемые методы тестирования воздушной проводимости неоднородны. Исследование показывает, что большинство канадских отоларингологов предпочитают камертон 512 Гц, активируют вилку ударом колена и помещают вилку на расстоянии примерно 3–4 см от слухового прохода при проверке воздушной проводимости.Несмотря на традиционное учение о размещении зубцов камертона во время тестирования воздушной проводимости, результаты исследования показывают примерно одинаковое использование параллельного и перпендикулярного размещения камертона среди респондентов. Хотя некоторые из респондентов не понимали, что подразумевается под параллельным и перпендикулярным размещением вилки, эти результаты предполагают, что канадские отоларингологи различаются по ориентации зубцов камертона.

    Результаты опроса следует интерпретировать с осторожностью.Лишь ограниченное количество врачей ответили на опрос (ответ 23%). Кроме того, дизайн вопроса допускал только ограниченное количество ответов. Следовательно, полная вариативность результатов тестирования воздушной проводимости канадскими отоларингологами, вероятно, не была отражена в исследовании. Несмотря на эти ограничения, обзор предоставил полезную информацию для разработки экспериментальной части исследования.

    Насколько нам известно, звуковые спектры камертонов 512 и 256 Гц, активированных в клинической практике для целей теста Ринне, ранее не документировались.Спектры звука (рис. 4) и знание частот доминирующих гармоник важны для интерпретации результатов теста Ринне для пациентов с различными уровнями потери слуха по всему спектру частот.

    Экспериментальные данные подтверждают традиционное учение о том, что параллельное размещение зубцов камертона относительно EAC дает более высокую амплитуду звука на уровне барабанной перепонки, чем перпендикулярное размещение зубцов. Для камертона 512 Гц разница между двумя положениями камертона составила 2.5 дБ для основной частоты. Это меньше, чем разница в 5 дБ, предсказанная математическими моделями [10]. Меньшая, чем ожидалось, разница может быть связана со сложным взаимодействием режимов вибрации камертона, не учитываемых математическими моделями. В качестве альтернативы, это меньшее различие можно объяснить присущей вариабельностью активации камертона при ударе по колену.

    Измеренная разница амплитуд основной частоты 0,83 дБ между параллельным и перпендикулярным размещением камертона 256 Гц была меньше, чем 2.Разница в 5 дБ измерена для камертона 512 Гц. Хотя амплитуда при параллельном размещении камертона 256 Гц снова была больше, чем при перпендикулярном размещении, эта разница не достигла статистической значимости. Объяснение отсутствия статистической значимости, вероятно, кроется в разнице геометрии вилки 512 и 256 Гц. Из-за необходимости сохранить согласованность конструкции камертонов 512 и 256 Гц, камертон 256 Гц был больше, чем камертон 512 Гц (рис.1). Учитывая его большие размеры, разница в амплитуде между параллельным и перпендикулярным расположением камертона 256 Гц, вероятно, сводилась на нет из-за более широкого поля вибрации более крупных зубцов: при проверке параллельного положения камертона поместите край камертона. Вилка 256 Гц на расстоянии 30–49 см от EAC размещает центр камертона дальше от EAC по сравнению с тем же самым размещением меньшей вилки с частотой 512 Гц (рис. 5). Мы проверили это объяснение, выполнив отдельный эксперимент с другой конструкцией камертона 256 Гц, где размеры вилки 256 Гц были аналогичны вилке 512 Гц.В этом отдельном эксперименте, не представленном в этом отчете, была обнаружена статистически значимая разница в 3,7 дБ в пользу параллельного размещения камертона.

    Рис. 5

    Влияние размера камертона на расстояние от центра диполя камертона до слухового прохода. Параллельная ориентация производит более громкий звук, и когда это сочетается с размещением вибрирующего диполя ближе к ушному каналу в меньшем камертоне с частотой 512 Гц, эффект наиболее заметен

    Восприятие громкости — сложное психоакустическое явление, на которое влияют не только амплитуда, но и частота звука, его спектральное распределение, его продолжительность и временная структура, а также его общая акустическая среда [12].Предполагая, что все другие переменные, влияющие на восприятие громкости, остаются постоянными, человек с нормальным слухом должен уметь различать разницу в амплитуде до 1,5 дБ [13, 14]. Разрешение по амплитуде 1,5 дБ сохраняется у слабослышащих пациентов с большинством типов кондуктивной и нейросенсорной тугоухости. Единственное очевидное исключение — более низкое разрешение по амплитуде, наблюдаемое у пациентов с акустической невромой (4,5 дБ) [13, 14]. Эти факты свидетельствуют о том, что разница амплитуд между параллельным и перпендикулярным расположением камертона EEC, наблюдаемая в этом исследовании, может быть воспринята большинством пациентов, проходящих тест Ринне.Таким образом, положение камертона по отношению к EAC во время теста Ринне представляет собой значительную переменную, которая потенциально может влиять на чувствительность и специфичность теста. Необходимы дальнейшие исследования, чтобы проверить, влияет ли положение камертона во время теста Ринне на его результаты у пациентов с потерей слуха.

    Настройка электронных свойств дативной связи N-B с соответствующим взаимодействием O-B: индикатор локализуемости электронов на основе уточнения волновой функции рентгеновского излучения

    .2016 4 августа; 17 (15): 2395-406.

    DOI: 10.1002 / cphc.201600223.

    Epub 2016 31 мая.

    Принадлежности

    Расширять

    Принадлежности

    • 1 Кафедра теоретической и структурной химии, химический факультет, Лодзинский университет, Pomorska 163/165, 90-236, Лодзь, Польша[email protected]
    • 2 Institut für Experimentalphysik, Freie Universität Berlin, Arnimallee 14, 14195, Berlin, Germany.
    • 3 Факультет химической технологии и инженерии, Технологический университет и естественные науки, Seminaryjna 3, 85-326, Быдгощ, Польша.
    • 4 Химический факультет Опольского университета, улица Олеска 48, 45-052, Ополе, Польша.
    • 5 Институт химической физики твердого тела им. Макса Планка, Nöthnitzer Str. 40, 01187, Дрезден, Германия.

    Элемент в буфере обмена

    Lilianna Chęcińska et al.

    Chemphyschem.

    .

    Показать детали

    Показать варианты

    Показать варианты

    Формат

    АннотацияPubMedPMID

    . 2016 4 августа; 17 (15): 2395-406.

    DOI: 10.1002 / cphc.201600223.

    Epub 2016 31 мая.

    Принадлежности

    • 1 Кафедра теоретической и структурной химии, химический факультет, Лодзинский университет, Pomorska 163/165, 90-236, Лодзь, Польша. [email protected]
    • 2 Institut für Experimentalphysik, Freie Universität Berlin, Arnimallee 14, 14195, Berlin, Germany.
    • 3 Факультет химической технологии и инженерии, Технологический университет и естественные науки, Seminaryjna 3, 85-326, Быдгощ, Польша.
    • 4 Химический факультет Опольского университета, улица Олеска 48, 45-052, Ополе, Польша.
    • 5 Институт химической физики твердого тела им. Макса Планка, Nöthnitzer Str. 40, 01187, Дрезден, Германия.

    Элемент в буфере обмена

    Полнотекстовые ссылки
    Опции CiteDisplay

    Показать варианты

    Формат
    АннотацияPubMedPMID

    Абстрактный

    Несмотря на огромный рост интереса к дифторборатным красителям, природа взаимодействий атома бора внутри ядра N-BF2-O еще полностью не изучена.Здесь набор индикаторов связывания в реальном пространстве используется для количественной оценки электронных характеристик дательной связи N-B в производных дифторбората. Схема разделения атомов в молекулах (AIM) дополняется подходом индикатора локализуемости электронов (ELI-D), и оба они были применены к экспериментальному и теоретическому распределению электронной плотности (подгонка волновой функции с ограничением рентгеновского излучения по сравнению с расчетами DFT). Кроме того, орбитальный анализ Ферми был представлен для небольших моделей DFT, чтобы поддержать и расширить результаты для структур, содержащих BF2.


    Ключевые слова:

    Ферми-орбитали; бор; химическая связь; дативные облигации; квантовая химия.

    © 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Вайнхайм.

    Похожие статьи

    • Перенос заряда через дативную связь N-B и дигидрогенные контакты.Экспериментальные и теоретические исследования электронной плотности малых кислотно-основных аддуктов Льюиса.

      Мебс С., Грабовски С., Фёрстер Д., Кикбуш Р., Хартл М., Даемен Л.Л., Моргенрот В., Люгер П., Паулюс Б., Ленц Д.
      Мебс С. и др.
      J. Phys Chem A. 23 сентября 2010; 114 (37): 10185-96. DOI: 10.1021 / jp100995n.
      J. Phys Chem A. 2010.

      PMID: 20726618

    • Перенос заряда через дативную связь N-B и дигидрогенные контакты.Экспериментальные и теоретические исследования электронной плотности четырех дельтаэдрических боранов.

      Мебс С., Калиновски Р., Грабовски С., Фёрстер Д., Кикбуш Р., Юстус Е., Моргенрот В., Паульманн К., Люгер П., Габель Д., Ленц Д.
      Мебс С. и др.
      J Phys Chem A. 3 марта 2011; 115 (8): 1385-95. DOI: 10.1021 / jp109576a. Epub 2011 9 февраля.
      J. Phys Chem A. 2011.

      PMID: 21306162

    • Индикаторы химической связи в реальном пространстве.Экспериментальные и теоретические исследования электронной плотности четырех дельтаэдрических боранов.

      Мебс С., Калиновски Р., Грабовски С., Фёрстер Д., Кикбуш Р., Юстус Е., Моргенрот В., Паульманн К., Люгер П., Габель Д., Ленц Д.
      Мебс С. и др.
      Inorg Chem. 2011, 3 января; 50 (1): 90-103. DOI: 10.1021 / ic1013158. Epub 2010 29 ноября.
      Inorg Chem. 2011 г.

      PMID: 21114266

    • Обнаружена тактичность: индикаторы связи в реальном пространстве для химии цинкоцена.

      Мебс С., Чиллек М.А., Грабовски С., Браун Т.
      Мебс С. и др.
      Химия. 2012 10 сентября; 18 (37): 11647-61. DOI: 10.1002 / chem.201200870. Epub 2012 14 августа.
      Химия. 2012 г.

      PMID: 228

    • Разнообразие методов анализа облигаций, один ответ? Исследование элементно-кислородной связи гидроксидов H n XOH.

      Фугель М., Бекманн Дж., Джаятилака Д., Гиббс Г.В., Грабовски С.Fugel M, et al.
      Химия. 2018 20 апреля; 24 (23): 6248-6261. DOI: 10.1002 / chem.201800453. Epub 2018 6 апр.
      Химия. 2018.

      PMID: 29465756

    Процитировано

    1
    артикул

    • DORI обнаруживает влияние нековалентных взаимодействий на структуры ковалентных связей в молекулярных кристаллах под давлением.

      Мейер Б., Бартель С., Мейс А, Ванней Л., Гийо Б., Смит Б., Корминбёф К.
      Мейер Б. и др.
      J. Phys Chem Lett. 2019 4 апреля; 10 (7): 1482-1488. DOI: 10.1021 / acs.jpclett.9b00220. Epub 2019 18 марта.
      J. Phys Chem Lett. 2019.

      PMID: 30865472
      Бесплатная статья PMC.

    LinkOut — дополнительные ресурсы

    • Источники полных текстов

    • Другие источники литературы

    Полнотекстовые ссылки
    [Икс]

    Wiley

    [Икс]

    цитировать

    Копировать

    Формат:

    AMA

    APA

    ГНД

    NLM

    .

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован.